一种散热效果好的LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片技术领域，公开了一种散热效果好的LED芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型层、MQW层和P型层；(2)刻蚀外延层，使N型层裸露；(3)在P型层上溅镀透明导电层；(4)在透明导电层和裸露的N型层上蒸镀第一PAD层；(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al

【技术实现步骤摘要】
一种散热效果好的LED芯片的制备方法
本专利技术涉及LED芯片
，特别是涉及一种散热效果好的LED芯片的制备方法。
技术介绍
UVC倒装LED通常使用相似的蓝光倒装LED芯片制造技术，为提高出光效率，会在倒装芯片中加入反射层。但是UVC倒装LED由于波长短，能形成良好发射效果的薄膜很少，一般只有DBR和金属Al，且常规TiO2的DBR反射率极低，需使用其他金属氧化物材料；另外，由于DBR散热慢，导致UVC芯片效率低热量大，容易发生过热；而Al因很难与P型层形成欧姆接触，因此在UVC倒装芯片中应用高反射率薄膜存在一定困难。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题在于，提供一种散热效果好的LED芯片的制备方法，大大提高了散热效率，具有优良的散热效果，能够应用于高反射率的薄膜，适用范围广。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种散热效果好的LED芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型层、MQW层和P型层；(2)刻蚀外延层，使N型层裸露；(3)在P型层上溅镀透明导电层；(4)在透明导电层和裸露的N型层上蒸镀第一PAD层；(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层；(6)在所述DBR+Al2O3层上局部镀Al层；(7)在Al层上蒸镀Al2O3+DBR层；(8)刻蚀DBR，使第一PAD层和Al层裸露；(9)在LED芯片表面蒸镀第二PAD层。作为本专利技术优选的方案，在步骤(5)中，在LED芯片表面上蒸镀SiO2和ZrO2，再镀Al2O3。作为本专利技术优选的方案，在步骤(5)中，SiO2和ZrO2的周期数为3－5。作为本专利技术优选的方案，在步骤(5)中，所述SiO2和ZrO2的厚度为0.1μm－1μm，所述Al2O3的厚度为0.05μm－0.1μm。作为本专利技术优选的方案，在步骤(7)中，在Al层上蒸镀Al2O3，再镀SiO2和ZrO2。作为本专利技术优选的方案，在步骤(7)中，所述SiO2和ZrO2的周期数为15－25。作为本专利技术优选的方案，在步骤(7)中，所述SiO2和ZrO2的厚度为0.1μm－1μm，所述Al2O3的厚度为0.05μm－0.1μm。作为本专利技术优选的方案，所述第一PAD层的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au。作为本专利技术优选的方案，所述第二PAD层的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au、AuSn。实施本专利技术的散热效果好的LED芯片的制备方法，与现有技术相比较，具有如下有益效果：本专利技术的DBR结构的制备过程是在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层、在所述DBR+Al2O3层上局部镀Al层、在Al层上蒸镀Al2O3+DBR层，且其中DBR+Al2O3层的SiO2和ZrO2的周期数为3－5，Al2O3+DBR层的SiO2和ZrO2的周期数为15－25，这样的设计，大大提高了散热效率，具有优良的散热效果，有效防止UVC芯片效率低热量大而发生过热，能够应用于高反射率的薄膜，适用范围广。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍。图1是本专利技术提供的散热效果好的LED芯片的制备方法的结构示意图。图中：1、衬底，2、N型层，3、MQW层，4、P型层，5、透明导电层，6、DBR结构，61、DBR+Al2O3层，62、Al层，63、Al2O3+DBR层，7、第一PAD层，8、第二PAD层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，应当理解的是，本专利技术中采用术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。参见图1所示，本专利技术的优选实施例，一种散热效果好的LED芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底1上依次生长N型层2、MQW层3和P型层4；(2)刻蚀外延层，使N型层2裸露；(3)在P型层4上溅镀透明导电层5；(4)在透明导电层5和裸露的N型层2上蒸镀第一PAD层7，其中，所述第一PAD层7的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au；(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层61；具体的，在LED芯片表面上蒸镀SiO2和ZrO2，再镀Al2O3，其中，SiO2和ZrO2的周期数为3－5，所述SiO2和ZrO2的厚度为0.1μm－1μm，所述Al2O3的厚度为0.05μm－0.1μm；(6)在所述DBR+Al2O3层61上局部镀Al层62；(7)在Al层62上蒸镀Al2O3+DBR层63；具体的，在Al层62上蒸镀Al2O3，再镀SiO2和ZrO2，其中，所述SiO2和ZrO2的周期数为15－25，所述SiO2和ZrO2的厚度为0.1μm－1μm，所述Al2O3的厚度为0.05μm－0.1μm。(8)刻蚀DBR，使第一PAD层7和Al层62裸露。(9)在LED芯片表面蒸镀第二PAD层8，其中，所述第二PAD层8的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au、AuSn。本专利技术的DBR结构6的制备过程是在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层61、在所述DBR+Al2O3层61上局部镀Al层62、在Al层62上蒸镀Al2O3+DBR层63，且其中DBR+Al2O3层61的SiO2和ZrO2的周期数为3－5，Al2O3+DBR层63的SiO2和ZrO2的周期数为15－25，这样的设计，大大提高了散热效率，具有优良的散热效果，有效防止UVC芯片效率低热量大而发生过热，能够应用于高反射率的薄膜，适用范围广。在本专利技术的描述中，应当理解的是，除非另有明确的规定和限定，本专利技术中采用术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。以上所揭露的仅为本专利技术的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术申请专利范围所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型层、MQW层和P型层；/n(2)刻蚀外延层，使N型层裸露；/n(3)在P型层上溅镀透明导电层；/n(4)在透明导电层和裸露的N型层上蒸镀第一PAD层；/n(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al

【技术特征摘要】
1.一种散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型层、MQW层和P型层；
(2)刻蚀外延层，使N型层裸露；
(3)在P型层上溅镀透明导电层；
(4)在透明导电层和裸露的N型层上蒸镀第一PAD层；
(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层；
(6)在所述DBR+Al2O3层上局部镀Al层；
(7)在Al层上蒸镀Al2O3+DBR层；
(8)刻蚀DBR，使第一PAD层和Al层裸露；
(9)在LED芯片表面蒸镀第二PAD层。


2.根据权利要求1所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，在LED芯片表面上蒸镀SiO2和ZrO2，再镀Al2O3。


3.根据权利要求2所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，SiO2和ZrO2的周期数为3－5。


4.根据权利要求2所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄剑锋，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44