半导体封装制造技术

技术编号:29713198 阅读:20 留言:0更新日期:2021-08-17 14:45
封装(23)包括载体(42),该载体(42)包括在第一侧的第一导电层(51)和在与第一侧相对的第二侧的第二导电层(52)。第一导电层(51)包括导线接合焊盘(55)。封装(23)还包括半导体管芯(21),该半导体管芯(21)被倒装芯片安装在载体(42)的第一侧上。载体(42)可以包括从第一侧到第二侧的通孔(54),其中通孔(54)从第二导电层(52)接收电接地。第一导电层(51)可以包括电连接半导体管芯(21)和导线接合焊盘(55)的迹线。半导体管芯(21)可以是高频射频(RF)管芯,并且第一导电层(51)可以承载RF信号。半导体管芯(21)可以是绝缘体上硅(SOI)管芯。铜柱(24)可以放置在半导体管芯(21)和载体(42)之间。模制材料(27)可以设置在半导体管芯(21)的周围。载体(42)可以包括层压衬底、陶瓷衬底或半导体衬底,该半导体衬底包括电子部件和半导体器件元件,或者不包括在其上制造的任何这样的部件或器件。封装(23)可以附接到板,例如印刷电路板(PCB)(62),印刷电路板(PCB)(62)包括由电介质(73)分隔的第一导电层(71)和第二导电层(72),其中第一导电层(71)在PCB(62)的第一侧。PCB(62)可以包括在第一侧并延伸穿过第一导电层(71)和电介质(73)到第二导电层(72)的凹部(65),其中载体(42)位于PCB(62)的凹部(65)中,并且其中载体(42)的第二导电层(52)在凹部(65)中通过既导热又导电的环氧树脂(63)电连接到PCB(62)的第二导电层(72)。半导体管芯(21)可以通过载体(42)从PCB(62)的第二导电层(72)接收电接地。PCB(62)的第一导电层(71)上的焊盘(71a)可以通过线或带(67、68)连接到载体(42)的第一导电层(51)上的相应焊盘(55)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装相关申请的交叉引用本申请要求2018年3月23日提交的标题为“半导体封装”的美国临时申请No.62/647,549的权益,出于所有目的,该临时申请的全部公开内容通过引用合并于此。
本领域涉及半导体封装。
技术介绍
通过倒装芯片键合将半导体管芯连接到板上需要昂贵的对准和机器人设备,这对于最终用户可能不方便。另一方面,导线键合技术可能无法提供足够的性能,尤其是对于其中半导体管芯处理高频信号的射频(RF)应用而言。因此,持续需要改进的半导体封装。
技术实现思路
在一方面,公开封装。封装包括:载体,包括在第一侧上的第一导电层和在与所述第一侧相对的第二侧上的第二导电层。所述第一导电层具有引线键合焊盘。封装还包括半导体管芯,其是安装在所述载体的第一侧上的倒装芯片。在一个实施方案中,所述载体包括从所述第一侧到所述第二侧的通孔。通孔可以从所述第二导电层接收电接地。在一个实施方案中,所述第一导电层包括电连接所述半导体管芯和所述引线键合焊盘的迹线。在一个实施方案中,所述半导体管芯是高频射频(RF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.封装,包括:/n载体,包括在第一侧上的第一导电层和在与所述第一侧相对的第二侧上的第二导电层,其中所述第一导电层包括引线键合焊盘;/n安装在所述载体的第一侧上的半导体管芯倒装芯片。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 US 62/647,549;20180808 US 16/058,9221.封装,包括:
载体,包括在第一侧上的第一导电层和在与所述第一侧相对的第二侧上的第二导电层,其中所述第一导电层包括引线键合焊盘;
安装在所述载体的第一侧上的半导体管芯倒装芯片。


2.权利要求1所述的封装,其中所述载体包括从所述第一侧到所述第二侧的通孔。


3.权利要求2所述的封装,其中所述通孔从所述第二导电层接收电接地。


4.前述任一项权利要求所述的封装,其中所述第一导电层包括电连接所述半导体管芯和所述引线键合焊盘的迹线。


5.前述任一项权利要求所述的封装,其中所述半导体管芯是高频射频(RF)芯片,并且所述第一导电层承载RF信号。


6.前述任一项权利要求所述的封装,其中所述半导体管芯是绝缘体上硅(SOI)芯片。


7.前述任一项权利要求所述的封装,还包括在所述半导体管芯和所述载体之间的铜柱。


8.前述任一项权利要求所述的封装,还包括设置在所述半导体管芯周围的模制材料。


9.前述任一项权利要求所述的封装,其中所述载体包括层压衬底,陶瓷衬底或半导体衬底。


10.设备,包括:
印刷电路板(PCB),包括被电介质隔开的第一导电层和第二导电层,其中所述第一导电层在PCB的第一侧上,并且其中所述PCB在所述第一侧上包括凹部,所述凹部延伸穿过所述第一导电层和所述电介质到达所述所述第二导电层;
载体,包括在所述第一侧上的第一导电层和在所述第二侧上的第二导电层,其中所述载体位于所述PCB的凹部...

【专利技术属性】
技术研发人员:B·贝拉其A·塞利克W·朗德S·库塔卡Y·阿特赛尔T·考库格鲁
申请(专利权)人:亚德诺半导体国际无限责任公司
类型:发明
国别省市:爱尔兰;IE

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