半导体封装元件、射频晶体管用基底基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装元件及包括其的半导体封装。更为详细地，涉及一种射频功率晶体管用半导体封装元件及包括其的半导体封装。更为详细地，涉及一种射频功率晶体管用半导体封装元件及包括其的半导体封装，将模具芯片和引线框架通过金属线连接，从而金属线的长度减少了与基底基板的凸出的高度一样多，进而可进行射频晶体管的阻抗匹配调节。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装元件、射频晶体管用基底基板及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体封装元件、射频晶体管用基底基板及其制造方法。更为详细地，涉及一种形成有凸起部的射频晶体管用基底基板及其制造方法。更为详细地，涉及一种半导体封装元件、射频晶体管用基底基板及其制造方法，将模具芯片和引线框架通过金属线连接，从而金属线的长度减少了与基底基板的凸出的高度一样多，可进行射频晶体管的阻抗匹配调节。
技术介绍
半导体封装化的射频电力设备一般包括安装于基底上并安装于半导体封装内的模具芯片。射频输入信号通过从封装外部向封装内部延长的射频输入线提供至晶体管，射频输出信号通过从封装内部向外部延长的射频输出线从设备传递。相关技术1中公开了一种电子射频装置及其制造方法，针对通过输入线和输出线的电信号，通过补偿晶体管的寄生电容的方法来控制运转带宽、电力效率等。相关技术2中，封装化的射频晶体管设备包括耦合到射频晶体管单元的射频输入线、射频输出线及耦合的输出匹配网络。电容器的上部电容器极板耦合到射频晶体管单元的输出端子，在晶体管的基本操作频率下对晶体管的输入提供阻抗匹配。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装元件，其特征在于，包括：/n基底基板；/n陶瓷层，其形成于基底基板的上部；/n引线框架，其形成于陶瓷层的上部；/n模具芯片，其实装于基底基板的上部；/n基底基板形成有凸出部，在凸出部上安装模具芯片，将模具芯片和引线框架通过金属线连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181211 KR 10-2018-0159062;20181211 KR 10-2018-011.一种半导体封装元件，其特征在于，包括：
基底基板；
陶瓷层，其形成于基底基板的上部；
引线框架，其形成于陶瓷层的上部；
模具芯片，其实装于基底基板的上部；
基底基板形成有凸出部，在凸出部上安装模具芯片，将模具芯片和引线框架通过金属线连接。


2.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
基底基板形成为多层结构，
形成为多层结构的基底基板包括：第一铜层；铜-钼合金层，其形成于第一铜层上部；第二铜层，其形成于铜-钼合金层上。


3.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
凸出部与基底基板为一体型。


4.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
陶瓷层的高度为0.4mm至0.7mm，
凸出部的高度为0.2mm至0.6mm。


5.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
凸出部的高度比陶瓷层的高度低。


6.根据权利要求5所述的半导体封装元件，其特征在于，
当陶瓷层的高度为r，凸出部的高度为k时，r与k的比例为1:0.5至1:0.8。


7.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
陶瓷层以包裹凸出部的外周的形态形成。


8.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
凸出部的面积大于模具芯片的面积。


9.根据权利要求1所述的半导体封装元件，其特征在于，
凸出部不与陶瓷层接触。


10.一种射频晶体管用基底基板，作为由金属形成的射频晶体管用基底基板，其特征在于，
在基底基板的一侧配备凸出部，
基底基板以多层的形式形成。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志炯，
申请(专利权)人：阿莫善斯有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR