半导体模块的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够抑制层叠了的存储器彼此分离的半导体模块的制造方法。半导体模块(1)的制造方法具有：在电路模块(10)的外周侧端部形成槽部(13)的步骤，所述槽部(13)在厚度方向贯通布线层(12)并到达基板(11)的中部；将形成有槽部(13)的电路模块(10)组成一对，使彼此的布线层(12)相向，并且使槽部(13)在厚度方向对齐的步骤；通过接合一对电路模块(10)的布线层(12)来接合一对电路模块(10)的步骤；将一个电路模块(10)的基板(11)的面中与配置了布线层(12)的配置面相反的反面研磨至超过槽部(13)的底面的步骤；将研磨了的一个电路模块(10)的比槽部(13)更靠外周侧的端部去除的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块的制造方法
本专利技术涉及半导体模块的制造方法。
技术介绍
以往，作为存储装置已知有DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)等易失性存储器(RAM)。DRAM追求运算装置(以下称逻辑芯片)的高性能化、能够应对数据量的增大的大容量化。因此，通过存储器(存储器单元阵列、存储器芯片)的微型化和平面方向地增设单元来实现大容量化。另一方面，由于微型化所带来的对于噪声的脆弱性、晶模面积的增加等，此类大容量化已达极限。因此，最近开发了通过层叠多个平面的存储器来进行三维化(3D化)从而实现大容量化的技术。提出了例如将两个晶圆层叠的晶圆制造方法(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-297650号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题在专利文献1记载的半导体晶圆的制造方法中，用热熔粘接剂接合两个晶圆。而且，在专利文献1记载的半导体晶圆的制造方法中，两个晶圆在分别被研磨而变薄之后彼此剥离。然而，在层叠了多个的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体模块的制造方法，所述半导体模块层叠了多个电路模块，所述电路模块具有基板和在所述基板的厚度方向的一个面上配置的布线层，/n所述半导体模块的制造方法具有：/n在所述电路模块的外周侧端部形成槽部的步骤，所述槽部在厚度方向贯通所述布线层并到达所述基板的中部；/n将形成有所述槽部的电路模块组成一对，使彼此的所述布线层相向，并且使所述槽部在厚度方向对齐的步骤；/n通过接合一对所述电路模块的所述布线层来接合一对所述电路模块的步骤；/n将一个所述电路模块的所述基板的面中与配置了所述布线层的配置面相反的反面研磨至超过所述槽部的底面的步骤；以及/n将研磨了的一个所述电路模块的比所述槽部更靠外周侧的端...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块的制造方法，所述半导体模块层叠了多个电路模块，所述电路模块具有基板和在所述基板的厚度方向的一个面上配置的布线层，
所述半导体模块的制造方法具有：
在所述电路模块的外周侧端部形成槽部的步骤，所述槽部在厚度方向贯通所述布线层并到达所述基板的中部；
将形成有所述槽部的电路模块组成一对，使彼此的所述布线层相向，并且使所述槽部在厚度方向对齐的步骤；
通过接合一对所述电路模块的所述布线层来接合一对所述电路模块的步骤；
将一个所述电路模块的所述基板的面中与配置了所述布线层的配置面相反的反面研磨至超过所述槽部的底面的步骤；以及
将研磨了的一个所述电路模块的比所述槽部更靠外周侧的端部去除的步骤。


2.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法，其中，
在形成所述槽部的步骤中，沿着所述布线层的外周形成所述槽部。


3.根据权利要求1或2所述的半导体模块的制造方法，其中，
在形成所述槽部的步骤中，在所述布线层的外周端的径向内侧形成所述槽部。

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【专利技术属性】
技术研发人员：增田隆俊，
申请(专利权)人：超极存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP