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本发明提供一种能够抑制层叠了的存储器彼此分离的半导体模块的制造方法。半导体模块(1)的制造方法具有：在电路模块(10)的外周侧端部形成槽部(13)的步骤，所述槽部(13)在厚度方向贯通布线层(12)并到达基板(11)的中部；将形成有槽部(1...
该专利属于超极存储器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过超极存储器股份有限公司授权不得商用。

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