一种去除离子注入后光刻胶的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除离子注入后光刻胶的方法，采用等离子体去胶工艺,通入氧气去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡，通过观察硅片正面是否为金属表面，对应有两种不同的处理方法；对于表面为非金属化的硅片先采用湿法工艺去胶，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后通入氩气与氢气的等离子体轰击硅片的氧化层；对于表面为金属化的硅片先通入氧气开始氧化过程，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后进行通氢气的还原反应过程退火或采用通氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；本发明专利技术通过不同的处理方式，使硅片受到的腐蚀作用降低，同时改善浸泡液进一步提高了光刻胶的去除率。

【技术实现步骤摘要】
一种去除离子注入后光刻胶的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种去除离子注入后光刻胶的方法。
技术介绍
经过在高能离子注入有光刻胶的衬底硅片的过程中，其中的部分高能离子会被吸附到光刻胶表面上甚至会掺杂到光刻胶中，使光刻胶表面甚至一定深度发生硬化，变成一种金刚石型与石墨型混合的碳质层坚硬外壳，该外壳主要由交联的碳链化合物且掺杂着各种注入的离子组分构成，其内部还包裹有没有被高能离子照射到的没被硬化的光刻胶，后续操作中已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。专利CN103107066A一种光刻胶去除方法及半导体生产方法提出利用去离子水对光刻胶表面的硬质层进行快速冲洗，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化之后的硬质层和部分光刻胶；最后再利用清洗液去除剩余光刻胶。虽然该专利技术通过软化光刻胶，在使用干法去胶时所需的等离子体能量减少，进行湿法去胶工艺时，更容易与清洗液产生化学反应，但是该专利技术中清洗液具有腐蚀性，不适合直接清洗正面金属化后的硅片，并且光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去除离子注入后光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n步骤S01,将硅片通氧气进行等离子体轰击以去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡；/n步骤S02,取出硅片检测其正面，若表面为非金属表面，采用S101-102步骤进行处理：/n步骤S101,采用湿法工艺，将硅片先后依次放入溶液A、溶液B中进行浸泡；/n步骤S102,再放入溶液C中进行浸泡，然后取出硅片，采用通入氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；/n若硅片表面为金属表面，采用S201-202步骤进行处理：/n步骤S201,通入氧气开始氧化过程，使硅片形成金属氧化保护层，再放入溶液C浸泡；/n步骤S202,取出...

【技术特征摘要】
1.一种去除离子注入后光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S01,将硅片通氧气进行等离子体轰击以去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡；
步骤S02,取出硅片检测其正面，若表面为非金属表面，采用S101-102步骤进行处理：
步骤S101,采用湿法工艺，将硅片先后依次放入溶液A、溶液B中进行浸泡；
步骤S102,再放入溶液C中进行浸泡，然后取出硅片，采用通入氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；
若硅片表面为金属表面，采用S201-202步骤进行处理：
步骤S201,通入氧气开始氧化过程，使硅片形成金属氧化保护层，再放入溶液C浸泡；
步骤S202,取出硅片进行通氢气的还原反应过程退火或采用通氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；
所述溶液A为过氧化氢与浓盐酸的混合溶液，溶液B为过氧化氢与浓硫酸的混合溶液，溶液C为过氧化氢与氨水的混合溶液。


2.根据权利要求1所述的一种去除离子注入后光刻胶的方法，其特征在于,在步骤S01中所述等离子体，其工艺条件为：功率280-500W，气压4torr，时间1-10min，氧气流量10-50sccm。


3.根据权利要求1所述的一种去除离子注入后光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王博，王宏，时功权，莫宏康，袁正刚，张云超，钟俊，谈林乖，付航军，陈侃，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：贵州;52