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本发明公开了一种去除离子注入后光刻胶的方法，采用等离子体去胶工艺,通入氧气去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡，通过观察硅片正面是否为金属表面，对应有两种不同的处理方法；对于表面为非金属化的硅片先采用湿法工艺去胶，再放入过氧化氢与氨水的...该专利属于中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)授权不得商用。