【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及相关制造技术交叉参考本专利申请案要求卡斯特罗(Castro)等人在2018年12月18日申请的标题为“薄膜晶体管及相关制造技术(THINFILMTRANSISTORSANDRELATEDFABRICATIONTECHNIQUES)”的第16/223,595号美国专利申请案的优先权，所述专利申请案转让给本专利申请案的受让人且其全文以引用的方式明确并入本文中。
技术介绍
下文大体上涉及形成存储器阵列，且更具体来说，涉及薄膜晶体管及相关制造技术。存储器装置广泛用于存储例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物的各种电子装置中的信息。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。存在各种类型的存储器装置，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可包含易失性存储器单元或非易失性存储器单元。非易失性存储器单元可长时间保存其所存储的逻辑状态，即使无外部电源。易失性存储器单元会随时间损失其所存储的状态，除非其由外部电源周期性刷新。改进存储器装置一般可包含提高存储器单元密度、提高读取/写入速度...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n形成穿过包括第一层、第二层及第三层的堆叠的顶层的第一多个通路及第二多个通路；/n使用所述第一多个通路来形成晶体管的栅极电极，所述栅极电极位于所述第二层处；/n使用所述第二多个通路来形成所述晶体管的第二电极，所述第二电极位于所述第一层处；及/n使用由所述第一多个通路及所述第二多个通路共有的通路来形成所述晶体管的第三电极，所述第三电极至少延伸穿过所述第三层。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20181218 US 16/223,5951.一种方法，其包括：
形成穿过包括第一层、第二层及第三层的堆叠的顶层的第一多个通路及第二多个通路；
使用所述第一多个通路来形成晶体管的栅极电极，所述栅极电极位于所述第二层处；
使用所述第二多个通路来形成所述晶体管的第二电极，所述第二电极位于所述第一层处；及
使用由所述第一多个通路及所述第二多个通路共有的通路来形成所述晶体管的第三电极，所述第三电极至少延伸穿过所述第三层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述晶体管的所述栅极电极包括：
在所述第二层处形成与所述第一多个通路对准的沟道；
形成与所述沟道保形的绝缘材料；及
至少部分基于形成所述绝缘材料来使用电极材料填充所述沟道。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使用所述通路来移除所述栅极电极的一部分以形成所述第二层处的腔；及
使用所述通路来形成位于所述第二层处的所述腔中且与所述栅极电极接触的氧化物材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
使用所述通路来移除所述第二电极的一部分以形成所述第一层处的腔；及
使用所述通路来形成位于所述第一层处的所述腔中且与所述第二电极接触的欧姆材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使用所述通路来形成跨越所述第一层及所述第二层的腔；及
使用所述通路来形成跨越所述第一层及所述第二层的所述腔中的半导体材料。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：
使用所述通路来形成与所述半导体材料接触的绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使用所述通路来形成所述第三层处的腔；及
使用所述通路来形成位于所述第三层处的所述腔中且与所述第三电极接触的欧姆材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述晶体管的所述第三电极包括：
使用所述通路来形成穿过所述堆叠而到逻辑电路系统层的孔；及
使用电极材料来填充所述孔。
9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述晶体管的所述第二电极包括：
在所述第一层处形成与所述第二多个通路对准的沟道，其中所述第二多个通路形成与由所述第一多个通路形成的第一行通路相交的第二行通路；
使用电极材料来填充所述第一层处的所述沟道；及
形成对应于所述第二多个通路的多个电介质插塞，其中所述电介质插塞延伸穿过所述第一层处的所述沟道中的所述电极材料。
10.一种设备，其包括：
导电插塞，其延伸穿过包括第一层、第二层及第三层的堆叠；
半导体材料，其位于所述第一层及所述第二层处，所述半导体材料包围所述导电插塞；
氧化物材料，其位于所述第二层处且与所述半导体材料接触；及
栅极电极，其位于所述第二层处且与所述氧化物材料接触。
11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：
欧姆材料，其位于所述第三层处，所述欧姆材料与所述半导体材料接触且包围所述导电插塞。
12.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：
绝缘材料，其插入于所述导电插塞与所述半导体材料之间。
13.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：
欧姆材料，其位于所述第一层处，所述欧姆材料包围所述半导体材料且与所述半导体材料接触。
14.一种方法，其包括：
形成穿过包括第一层及第二层的堆叠的顶层的第一通路、第二通路及第三通路；
使用所述第一通路来形成晶体管的栅极电极；
使用所述第二通路来形成所述晶体管的第二电极，所述第二电极延伸穿过所述第一层及所述第二层；及
至少使用所述第一通路及所述第三通路来形成所述晶体管的第三电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述晶体管的所述栅极电极包括：
使用包含所述第一通路的多个通路来形成所述第二层处的沟道；
形成与所述第二层处的所述沟道保形的绝缘材料；及
使用接触所述绝缘材料的电极材料来填充第一沟道。
16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
使用所述第一通路来形成所述第一层处的腔以暴露所述栅极电极的至少一部分；至少部分基于形成所述腔来使用所述第一通路形成与所述栅极电极接触的氧化物材料；及
使用所述第一通路来形成位于所述第一层处的所述腔中且与所述氧化物材料接触的半导体材料。
17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
至少使用所述第二通路来形成所述第一层处的第二腔以暴露所述第三电极及所述半导体材料的至少一部分；
使用所述第三通路来形成所述第一层处的第三腔以暴露所述半导体材料；及
使用欧姆材料来填充所述第一层处的所述第二腔及所述第三腔。
18.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述晶体管的所述第三电极包括：
至少使用所述第一通路及所述第三通路来形成所述第一层处的第一沟道；
使用电极材料来填充所述第一层处的所述第一沟道；
在所述第一层处的所述第一沟道内的所述电极材料中形成窄于所述第一沟道的第二沟道；及
技术研发人员：H·A·卡斯特罗，S·W·鲁塞尔，S·H·唐，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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