抗蚀剂用交联型聚合物制造技术

本发明专利技术的课题在于提供用于高敏感度光刻技术的交联型聚合物。本发明专利技术的解决手段为：本发明专利技术的在显影液中的溶解性因酸的作用而改变的抗蚀剂用交联型聚合物中，具有聚合物中的至少一部分酚羟基被以下的式(1)表示的基团保护的结构，并且，具有聚合物中的至少一部分酚羟基被以下的式(2)表示的基团保护、且聚合物彼此被交联的结构。式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂用交联型聚合物
本专利技术涉及在显影液中的溶解性因酸的作用而改变的抗蚀剂用交联型聚合物。更详细而言，本专利技术涉及对厚膜抗蚀剂有用的交联型聚合物和含有该交联型聚合物的厚膜抗蚀剂用组合物。
技术介绍
在用于制造半导体的光刻技术中，使用了将各种Novolac系聚合物、丙烯酸系聚合物、氧基苯乙烯(其以羟基苯乙烯为代表)系聚合物作为基础聚合物的抗蚀剂用组合物。例如，在LSI等半导体集成电路、FPD的显示面的制造、热敏头等的电路基板的制造等广泛的领域中，为了实施微细元件的形成或微细加工，以往使用了光刻技术。在磁头、凸块等需要厚膜工艺的领域中，认为必须以良好的壁面垂直性形成高长径比的抗蚀剂图案。然而，就上述以往的抗蚀剂而言，由于膜厚变大所造成的膜的透光性的问题等，导致存在分辨率和敏感度无法充分保持、无法获得所期望的抗蚀剂图案等问题。为了解决这些问题，提出了利用聚合物链可被酸等切断的化合物进行交联的方法(参见专利文献1-4)。如果使用这样的交联聚合物，未曝光的部分由于高分子量而表现出充分的强度，另外，曝光的部分中的交联被因曝光而产生的酸切断，在用碱性显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.抗蚀剂用交联型聚合物，其是在显影液中的溶解性因酸的作用而改变的抗蚀剂用交联型聚合物，其中，/n所述交联型聚合物具有聚合物中的至少一部分酚羟基被以下的式(1)表示的基团保护的结构，并且，具有聚合物中的至少一部分酚羟基被以下的式(2)表示的基团保护、且聚合物彼此被交联的结构，/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20191002 JP 2019-1824601.抗蚀剂用交联型聚合物，其是在显影液中的溶解性因酸的作用而改变的抗蚀剂用交联型聚合物，其中，
所述交联型聚合物具有聚合物中的至少一部分酚羟基被以下的式(1)表示的基团保护的结构，并且，具有聚合物中的至少一部分酚羟基被以下的式(2)表示的基团保护、且聚合物彼此被交联的结构，
[化学式1]



式(1)中，R1表示碳原子数为1至5的烷基，n表示1至5的整数，*表示与从酚羟基除去氢原子而得的残基的键合部；
[化学式2]



式(2)中，R2表示可包含脂肪族环式基团的碳原子数为2至17的二价饱和烃基、或包含芳香环的碳原子数为6至17的二价烃基，*表示与从酚羟基除去氢原子而得的残基的键合部。


2.如权利要求1所述的抗蚀剂用交联型聚合物，其中，具有酚羟基的聚合物是具有来自...

【专利技术属性】
技术研发人员：益川友宏，野嶋雅贵，
申请(专利权)人：丸善石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP