聚合物及抗蚀剂用树脂组合物制造技术

[课题]提供保存稳定性优异、高敏感度、高分辨力的抗蚀剂用聚合物。[解决手段]基于本发明专利技术的聚合物包含具有酚式羟基的结构单元和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及对于光致抗蚀剂材料而言有用的聚合物及包含该聚合物的抗蚀剂用树脂组合物。

技术介绍

1、以往，在ic、lsi等半导体器件的制造工艺中，通过使用光致抗蚀剂组合物的光刻来进行微细加工。近年来，伴随着集成电路的高集成化，逐渐要求形成次微米区域、四分之一微米区域的超微细图案，曝光用光源也从g线、i线逐渐将波长更短的krf准分子激光及arf准分子激光用于半导体的批量生产中。进而，目前正在进行使用电子射线、x射线或远紫外线(euv)的光刻技术的开发。

2、这些基于电子射线、x射线或euv的光刻被定位为下一代或下下一代的图案形成技术，期望高敏感度、高分辨力的抗蚀剂组合物。特别是为了晶片处理时间的缩短化，抗蚀剂的高敏感度化是非常重要的课题，但敏感度与分辨力处于相互制衡的关系，强烈期望同时满足这些特性的抗蚀剂组合物的开发。

3、为了解决这些问题，专利文献1、2中提出了包含具有酚式羟基的结构单元和具有羧酸被缩醛基保护的结构的结构单元的聚合物。然而，在使酚式羟基未被保护的单体与前述专利文献所公开那样的具有羧酸被缩醛基保护的结构的单体直接聚合的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.聚合物，其包含下述通式(i)表示的结构单元I及下述通式(ii)表示的结构单元II，

2.如权利要求1所述的聚合物，其中，式(i)中，R4为包含脂环基或芳基的碳原子数5～20的烃基。

3.聚合物，其包含下述通式(i-1)表示的结构单元I-1，

4.抗蚀剂用树脂组合物，其包含权利要求1～3中任一项所述的聚合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.聚合物，其包含下述通式(i)表示的结构单元i及下述通式(ii)表示的结构单元ii，

2.如权利要求1所述的聚合物，其中，式(i)中，r4为包含脂环基或芳基的碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：益川友宏，相原大路，笠原拓，佐贺勇太，
申请(专利权)人：丸善石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：