一种CML结构的驱动电路和驱动方法技术

本发明专利技术提供一种CML结构的驱动电路和驱动方法，通过输入电压控制开关管的漏电流或通过外部电流源提供大小等于保护管的亚阈值漏电流的电流，来消除输出电压电平切换时由保护管的亚阈值漏电流带来的码间干扰；本发明专利技术仅通过控制输入电压大小或通过增加额外的电流源来消除码间干扰，不需要额外增加电路组成或仅需增加额外电流源，从而电路结构简单，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种CML结构的驱动电路和驱动方法
本专利技术涉及一种驱动接口，特别是涉及一种CML结构的驱动电路和驱动方法。
技术介绍
目前高速模数转换器中有三种常用的类型：互补金属氧化物半导体(CMOS)、低压差分信号(LVDS)和电流模式逻辑(CurrentModeLogic，CML)，每种模数转换器的数字输出类型都各有优劣，随着数字输出转换器技术的发展，速度和分辨率不断增大，数字输出驱动器也不断演变发展，以满足数据传输需求；转换器数字输出接口的最新趋势是使用具有电流模式逻辑(CML)输出驱动器的串行接口。通常，高分辨率(≥14位)、高速(≥200Mbps)和需要小型封装与低功耗的转换器会使用CML类型的驱动器。随着转换器中的数字输出接口转换器串行数据传输，CML输出驱动级也越来越普及，如何提出一种能够消除码间干扰的带有保护管的CML结构的驱动电路和方法，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种CML结构的驱动电路，用于解决现有技术中带有保护管的CML结构的驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CML结构的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：输入模块，ESD保护模块，第一电流源及负载；/n所述第一电流源用于提供恒定电流；/n所述输入模块连接于所述第一电流源与所述ESD保护模块之间，并接收第一输入电压及第二输入电压，基于所述第一输入电压及所述第二输入电压切换两个支路的开关管交替导通，并为截止状态的开关管所在支路的保护管提供预设电流，所述预设电流的大小为截止状态的开关管所在支路的保护管的亚阈值漏电流；所述第一输入电压与所述第二输入电压为差分信号；/n所述ESD保护模块连接于所述输入模块与所述负载之间，并接收偏置电压，为所述输入模块中的两个开关管提供ESD保护，所述ESD保护模...

【技术特征摘要】
1.一种CML结构的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：输入模块，ESD保护模块，第一电流源及负载；
所述第一电流源用于提供恒定电流；
所述输入模块连接于所述第一电流源与所述ESD保护模块之间，并接收第一输入电压及第二输入电压，基于所述第一输入电压及所述第二输入电压切换两个支路的开关管交替导通，并为截止状态的开关管所在支路的保护管提供预设电流，所述预设电流的大小为截止状态的开关管所在支路的保护管的亚阈值漏电流；所述第一输入电压与所述第二输入电压为差分信号；
所述ESD保护模块连接于所述输入模块与所述负载之间，并接收偏置电压，为所述输入模块中的两个开关管提供ESD保护，所述ESD保护模块包括第一保护管和第二保护管，所述第一保护管与所述第二保护管的类型和尺寸相同；所述第一保护管和所述第二保护管的栅极相连并与所述偏置电压连接；所述第一保护管的源极和所述第二保护管的源极分别连接所在支路的开关管的漏极；所述第一保护管的漏极输出第一输出电压，所述第二保护管的漏极输出第二输出电压；所述第一输出电压与所述第二输出电压为差分信号，所述第一输出电压和所述第二输出电压均与所述负载连接。


2.根据权利要求1所述的CML结构的驱动电路，其特征在于：所述输入模块包括第一开关管和第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的类型和尺寸相同；
所述第一开关管的栅极接收第一输入电压，漏极连接所述第一保护管的源极；所述第二开关管的栅极接收第二输入电压，漏极连接所述第二保护管的源极，源极和所述第一开关管的源极相连并与所述第一电流源连接；通过第一输入电压和第二输入电压分别控制第一开关管和第二开关管的关断状态及漏电流大小；
在第一输入电压使得所述第一开关管断开时，第一输入电压同时控制所述第一开关管的漏电流等于所述第一保护管的亚阈值漏电流；在第二输入电压使得所述第二开关管断开时，第二输入电压同时控制所述第二开关管的漏电流等于所述第二保护管的亚阈值漏电流。


3.根据权利要求1所述的CML结构的驱动电路，其特征在于：所述输入模块包括补偿单元，第一开关管及第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的类型和尺寸相同；所述第一开关管的栅极接收第一输入电压，漏极连接所述第一保护管的源极；所述第二开关管的栅极接收第二输入电压，漏极连接所述第二保护管的源极，所述第二开关管的源极和所述第一开关管的源极相连并与所述第一电流源连接；
所述补偿单元和所述第一开关管的漏极和所述第二开关管的漏极连接，通过电流源为截止支路的保护管提供所述预设电流。


4.根据权利要求3所述的CML结构的驱动电路，其特征在于：所述补偿单元包括：第二电流源和第三电流源；
所述第二电流源连接所述第一开关管的漏极，所述第二电流源的电流大小为所述第一保护管的亚阈值漏电流；
所述第三电流源连接所述第二开关管的漏极，所述第三电流源的电流大小与所述第二电流源相同。


5.根据权利要求4所述的CML结构的驱动电路，其特征在于：当所述第一开关管、所述第二开关管、所述第一保护管和所述第二保护管的类型为NMOS时，所述第二电流源的电流流入端和所述第一开关管的漏极连接，所述第三电流源的电流流入端和所述第二开关管的漏极连接；所述第二电流源的电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐希，
申请(专利权)人：芯思原微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34