半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第2电极之间，第6层设置于第1层与第2电极之间。第2电极经由包括第6层的第1导电类型区域与第1层连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请以日本专利申请2020-017859(申请日2020年2月5日)为基础，从该申请享受优先的利益。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
在电力控制用半导体装置中，要求降低开关损耗。
技术实现思路
实施方式提供能够降低二极管动作中的恢复损耗的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备第1电极、与所述第1电极对置的第2电极、设置于所述第1电极与所述第2电极之间的半导体部、第1控制电极、以及第2控制电极。所述第1控制电极在所述第1电极与所述半导体部之间配置于在所述半导体部设置的第1沟槽的内部，与所述半导体部通过第1绝缘膜电绝缘，与所述第1电极通过第2绝缘膜电绝缘。所述第2控制电极在所述第2电极与所述半导体部之间配置于在所述半导体部设置的第2沟槽的内部，与所述半导体部通过第3绝缘膜电绝缘，与所述第2电极通过第4绝缘膜电绝缘。所述半导体部包括第1导电类型的第1半导体层、第2导电类型的第2半导体层、所述第1导电类型的第3半导体层、所述第2导电类型的第4半导体层、所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n第1电极；/n第2电极，与所述第1电极对置；/n半导体部，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；/n第1控制电极，在所述第1电极与所述半导体部之间配置于在所述半导体部设置的第1沟槽的内部，与所述半导体部通过第1绝缘膜电绝缘，与所述第1电极通过第2绝缘膜电绝缘；以及/n第2控制电极，在所述第2电极与所述半导体部之间配置于在所述半导体部设置的第2沟槽的内部，与所述半导体部通过第3绝缘膜电绝缘，与所述第2电极通过第4绝缘膜电绝缘，/n所述半导体部包括第1导电类型的第1半导体层、第2导电类型的第2半导体层、所述第1导电类型的第3半导体层、所述第2导电类型的第4半导体层、所...

【技术特征摘要】
20200205 JP 2020-0178591.一种半导体装置，具备：
第1电极；
第2电极，与所述第1电极对置；
半导体部，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；
第1控制电极，在所述第1电极与所述半导体部之间配置于在所述半导体部设置的第1沟槽的内部，与所述半导体部通过第1绝缘膜电绝缘，与所述第1电极通过第2绝缘膜电绝缘；以及
第2控制电极，在所述第2电极与所述半导体部之间配置于在所述半导体部设置的第2沟槽的内部，与所述半导体部通过第3绝缘膜电绝缘，与所述第2电极通过第4绝缘膜电绝缘，
所述半导体部包括第1导电类型的第1半导体层、第2导电类型的第2半导体层、所述第1导电类型的第3半导体层、所述第2导电类型的第4半导体层、所述第1导电类型的第5半导体层、以及所述第1导电类型的第6半导体层，
所述第1半导体层在所述第1电极与所述第2电极之间延伸，所述第1沟槽以及所述第2沟槽在所述第1半导体层中延伸，
所述第2半导体层在所述第1半导体层与所述第1电极之间以与所述第1控制电极隔着所述第1绝缘膜相对的方式设置，与所述第1电极电连接，
所述第3半导体层选择性地设置于所述第2半导体层与所述第1电极之间，与所述第1绝缘膜相接，与所述第1电极电连接，
所述第4半导体层在所述第1半导体层与所述第2电极之间以与所述第2控制电极隔着所述第3绝缘膜相对的方式设置，与所述第2电极电连接，
所述第5半导体层选择性地设置于所述第4半导体层与所述第2电极之间，与所述第3绝缘膜相接，与所述第2电极电连接，
所述第6半导体层选择性地设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间，
所述第2电极经由包括所述第6半导体层的第1导电类型区域而与所述第1半导体层连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体部还包括设置于所述第1半导体层与所述第4半导体层之间的第1导电类型的第7半导体层，
所述第7半导体层包含浓度比所述第1半导体层的第1导电类型杂质高的第1导电类型杂质。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述半导体部还包括设置于所述第1半导体层与所述第6半导体层之间的其他第7半导体层，
所述第1导电类型区域包括所述第6半导体层和所述其他第7半导体层。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述第6半导体层包含浓度比所述第7半导体层的所述第1导电类型杂质高的第1导电类型杂质，与所述第2电极电连接。


5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述第5半导体层包含浓度比所述第7半导体层的所述第1导电类型杂质高的第1导电类型杂质。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第2控制电极设置有多个，
所述第6半导体层设置于多个所述第2控...

【专利技术属性】
技术研发人员：下条亮平，坂野竜则，井口智明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP