一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法；所述压敏器件的成分包括纳米银颗粒、乙基纤维素和聚乙烯吡咯烷酮，所述压敏器件包括主体部分和两个外接点，所述外接点位于主体部分两端。将基底清洗和干燥处理，然后采用电流体打印将纳米银溶胶在基底上打印压敏器件，将打印的压敏器件退火固化，得到窄线宽金属型低压压敏器件。所述压敏器件的压敏电阻稳定，非线性系数较大，漏电流小，微观均匀性较好；工艺简单，烧结温度低。

【技术实现步骤摘要】
一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法
本专利技术属于电子材料
，涉及一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法。
技术介绍
“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。目前压敏电阻器的电阻体材料均是是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"(ZnO)压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。目前，提高氧化锌压敏电阻性能的主要途径是通过改进压敏电阻材料粉体的配方及制备工艺以获得高性能的ZnO压敏电阻。晶粒尺寸和微观均匀性决定了压敏电阻电学性能的高低，传统的ZnO压敏电阻制备方法，是将微米级的ZnO，Bi、Mn、Sb等的氧化物按照一定比例放入球磨罐中并将其混合粉碎，然后放入1100℃～1500℃的高温中烧结成瓷。尽管如此，由于微米级原料表面活性低，生长晶粒时所需要的温度较高，生长的晶粒较大而导致电位梯度低，微观均匀性差，即使通过更先进的球磨法和掺杂粒子压敏电阻的电性能也不可能有大幅度的提高。因此，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种窄线宽金属型低压压敏器件，其特征在于，所述压敏器件的成分包括纳米银颗粒、乙基纤维素和聚乙烯吡咯烷酮，所述压敏器件包括主体部分和两个外接点，所述外接点位于主体部分两端。/n

【技术特征摘要】
1.一种窄线宽金属型低压压敏器件，其特征在于，所述压敏器件的成分包括纳米银颗粒、乙基纤维素和聚乙烯吡咯烷酮，所述压敏器件包括主体部分和两个外接点，所述外接点位于主体部分两端。


2.根据权利要求1所述的窄线宽金属型低压压敏器件，其特征在于，所述主体部分的线长为100-1000um，宽为1-10um，高为30-300nm；所述外接点的直径为20-100um，高为30-300nm。


3.根据权利要求1所述的窄线宽金属型低压压敏器件，其特征在于，所述纳米银颗粒的粒径为1～50nm。


4.电流体打印权利要求1-3任一项所述的窄线宽金属型低压压敏器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将基底清洗和干燥处理，然后采用电流体打印将纳米银溶胶在基底上打印压敏器件，将打印的压敏器件退火固化，得到窄线宽金属型低压压敏器件。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述基底的材质为n型硅，p型硅，玻璃基板中的一种。


6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述纳米银溶胶为纳米银颗粒墨水和聚乙烯吡咯烷酮溶液按照质量比为1：3～6超声混合2～3小时后得到。


7.根据权利要求6所述的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚日晖，梁宏富，宁洪龙，钟锦耀，刘泰江，张旭，张观广，梁志豪，杨跃鑫，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44