【技术实现步骤摘要】
一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法
本申请涉及集成电路
,具体而言,涉及一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法。
技术介绍
导电结构目前应用十分广泛,但目前导电结构的制作还比较粗糙,一般使用高温加工生产,其制备过程一般是将材料构成组装结构后放置在高温条件下进行烧结成型,该成型过程属于热烧结,存在成型过程复杂以及烧结设备复杂的问题,对设备要求高,现阶段导电结构制备缺少一种便捷的方法。针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种的基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法,实现常温下制备导电结构,以简化导电结构制备过程、降低设备要求、设备成本。第一方面,本申请实施例提供了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,用于制备导电片,包括以下步骤:S1、取两片待连接介质,在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒,在上方的待连接介质顶面设置加压板;S2、对加压板进行高频脉冲加压处理,使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒 ...
【技术保护点】
1.一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,用于制备导电片,其特征在于:包括以下步骤:/nS1、取两片待连接介质,在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒,在上方的待连接介质顶面设置加压板;/nS2、对加压板进行高频脉冲加压处理,使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合,形成导电介质;/nS3、移除加压板;/nS4、清除导电介质上残余纳米金属颗粒。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,用于制备导电片,其特征在于:包括以下步骤:
S1、取两片待连接介质,在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒,在上方的待连接介质顶面设置加压板;
S2、对加压板进行高频脉冲加压处理,使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合,形成导电介质;
S3、移除加压板;
S4、清除导电介质上残余纳米金属颗粒。
2.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,其特征在于:在步骤S2中,高频脉冲加压处理为冲击处理、旋转摩擦处理、超声处理中的一种。
3.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,其特征在于:当高频脉冲加压处理为超声处理时,超声处理为上开口大、下开口小的超声头装置。
4.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,其特征在于:所述纳米金属颗粒的表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮、咪唑、2-苯基咪唑或苯并咪唑中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨冠南,钟朝彬,童金,崔成强,张昱,
申请(专利权)人:季华实验室,
类型:发明
国别省市:广东;44
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