用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法和装置制造方法及图纸

本申请涉及一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法，包括：提供针对所述集成电路器件的测试数据集；提供提取条件设置界面，所述提取条件设置界面包括多个提取条件域，其中每个提取条件域对应于一个测试条件；接收用户输入，所述用户输入用于对所述提取条件设置界面的多个提取条件域中的至少一个提取条件域进行设置或选择提取条件变量；至少基于所述用户输入设置或选择的提取条件变量生成一个提取条件模板，并且利用所述提取条件模板从所述测试数据集中筛选对应的测试数据以生成自定义测试数据集；以及用所述自定义测试数据集对所述集成电路器件的器件模型进行拟合，以生成所述集成电路器件的器件模型参数。

【技术实现步骤摘要】
用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法和装置
本申请涉及集成电路计算机辅助设计
，更具体地，涉及一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法和装置。
技术介绍
半导体和集成电路技术的持续发展使得集成电路计算机辅助设计(CAD)或电子设计自动化(EDA)平台的重要性愈发突出。EDA平台的一个基础性功能是器件模型的参数提取，也即基于一些标准器件模型来提取以特定集成电路制程制造的半导体器件的模型参数。在经提取得到模型参数后，结合对应的标准器件模型，半导体器件的各种工作特性就可以被以数学的方式描绘，从而用于后续电路设计时的器件仿真。BSIM模型是由美国加州大学伯克利分校开发的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)模型，其适用于数字和模拟电路设计和仿真。在实际的参数提取操作中，可以通过选取与实际MOSFET器件对应的各种BSIM模型(例如BSIM4、BSIM-Bulk、BSIM-CMG等)来处理MOSFET器件的测试数据(例如，不同尺寸MOSFET的I-V曲线、C-V曲线等)，MOSFET器件的模型参数就可以被提取出来。然而，为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供针对所述集成电路器件的测试数据集，所述测试数据集包括在多组测试条件下对所述集成电路器件进行测试得到的多个测试数据，其中每组测试条件包括多个测试条件的组合；/n提供提取条件设置界面，所述提取条件设置界面包括多个提取条件域，其中每个提取条件域对应于一个测试条件；/n接收用户输入，所述用户输入用于对所述提取条件设置界面的多个提取条件域中的至少一个提取条件域进行设置或选择提取条件变量；/n至少基于所述用户输入设置或选择的提取条件变量生成一个提取条件模板，并且利用所述提取条件模板从所述测试数据集中筛选对应的测试数据以生成...

【技术特征摘要】
1.一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供针对所述集成电路器件的测试数据集，所述测试数据集包括在多组测试条件下对所述集成电路器件进行测试得到的多个测试数据，其中每组测试条件包括多个测试条件的组合；
提供提取条件设置界面，所述提取条件设置界面包括多个提取条件域，其中每个提取条件域对应于一个测试条件；
接收用户输入，所述用户输入用于对所述提取条件设置界面的多个提取条件域中的至少一个提取条件域进行设置或选择提取条件变量；
至少基于所述用户输入设置或选择的提取条件变量生成一个提取条件模板，并且利用所述提取条件模板从所述测试数据集中筛选对应的测试数据以生成自定义测试数据集；以及
用所述自定义测试数据集对所述集成电路器件的器件模型进行拟合，以生成所述集成电路器件的器件模型参数。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试数据包括电流-电压曲线、电容-电压曲线中的一种或多种。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述集成电路器件是场效应晶体管，所述电流-电压曲线包括输入特性曲线和转移特性曲线。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试数据包括衍生电学输出参数随电压变化的曲线。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集成电路器件是选自下述组中的一种器件：MOSFET晶体管、SOI晶体管、FinFET晶体管、BJT晶体管、HBT晶体管、TFT晶体管、MESFET晶体管、二极管、电阻或电感。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述集成电路器件的器件模型是选自下述组中的一种器件模型：BSIM3、BSIM4、BSIM6、BSIM-CMG、BSIM-IMG、BSIMSOI、UTSOI、HiSIM2、HiSIM_HV、PSP、GP-BJT或RPITFT。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少基于所述用户输入设置或选择的提取条件变量生成一个提取条件模板的步骤进一步包括：
对于所述多个提取条件域中未被用户输入所设置或选择的提取条件域，提供预设提取条件变量；以及
将所述预设提取条件变量与所述用户设置或选择的提取条件变量组合，以生成所述提取条件模板。


8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
提供自定义模板标识；以及
将所述自定义模板标识与所述提取条件模板相关联，并存储所述提取条件模板。


9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试数据包括电压-电流曲线，所述自定义测试数据集包括所述测试数据集的多个电流-电压曲线中的一部分电流-电压曲线和/或包括一个或多个电流-电压曲线中的曲线分段。


10.一种用于提取集成电路器件的器件模型参数的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供针对所述集成电路器件的测试数据集，所述测试数据集包括在多组测试条件下对所述集成电路器件进行测试得到的多个测试数据，其中每组测试条件包括多个测试条件的组合；
接收用户输入，所述用户输入用于选择提取条件模板，所述提取条件模板包括一组提取条件变量；
利用所述提取条件模板从所述测试数据集中筛选符合所述一组提取条件变量的一组测试条件下测试得到的测试数据，以生成自定义测试数据集；以及
用所述自定义测试数据集对所述集成电路器件的器件模型进行拟合，以生成...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，梁汉成，石凯，马玉涛，
申请(专利权)人：上海概伦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31