一种高抗噪声的浮动带隙基准源制造技术

本发明专利技术属于电子电路技术领域，具体涉及一种高抗噪声的浮动带隙基准源。本发明专利技术的电路包括启动和偏置部分、浮动带隙基准核心电路、负反馈运放箝位部分，本发明专利技术利用预电源轨技术和反馈技术提高基准对电源噪声的抑制性能，再通过三极管发射结电压同温度的关系，产生对电源参考的基准电压值，最后通过负反馈运算放大器将对电源参考的高抗噪声的基准电压值转换成对地参考的基准电压。本发明专利技术的电路具有在高压栅驱动恶劣的噪声环境下工作的能力，能够为高压栅驱动系统提供稳定的基准值。

【技术实现步骤摘要】
一种高抗噪声的浮动带隙基准源
本专利技术属于电子电路
，具体涉及一种高抗噪声的浮动带隙基准源。
技术介绍
带隙基准源在模拟集成电路的各个领域内都应用广泛。在高压栅驱动中，由于其剧烈开关动作带来的巨大噪声，较为苛刻的工艺条件，使得带隙基准源的设计较为考究。相比于一般系统中带隙基准源的电源抑制性能，在高压栅驱动系统中，还应该关注地噪声对基准电压的影响。如图1所示，采用浮动带隙基准结构，能够有效的隔离开电源和地的噪声。一个好的带隙基准源，能带给整个栅驱动系统好的性能。因此，在高压栅驱动恶劣的工作环境中，实现高抗噪声的带隙基准源具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是针对上述问题，提出一种高抗噪声的浮动基准源电路，该电路具有在高压栅驱动恶劣的噪声环境下工作的能力，能够为高压栅驱动系统提供稳定的基准值。本专利技术的技术方案是：一种高抗噪声的浮动带隙基准源，如图2所示，包括第一LDPMOS管、第二LDPMOS管、第三LDPMOS管、第一LDNMOS管、第二LDNMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高抗噪声的浮动带隙基准源，其特征在于，包括第一LDPMOS管、第二LDPMOS管、第三LDPMOS管、第一LDNMOS管、第二LDNMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容、第二电容、第三电容、NPN管、第一PNP管、第二PNP管、第一齐纳二极管和第二齐纳二极管；其中，/n第一LDPMO...

【技术特征摘要】
1.一种高抗噪声的浮动带隙基准源，其特征在于，包括第一LDPMOS管、第二LDPMOS管、第三LDPMOS管、第一LDNMOS管、第二LDNMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容、第二电容、第三电容、NPN管、第一PNP管、第二PNP管、第一齐纳二极管和第二齐纳二极管；其中，
第一LDPMOS管的源极接电源，栅极与漏极互连；第二LDPMOS管的源极接电源，栅极接第一LDPMOS管的漏极；第三LDPMOS管的源极接电源，栅极接第一LDPMOS管的漏极；
第一LDNMOS管的漏极接第一LDPMOS管的漏极，第一LDNMOS管的栅极通过第一电阻后接电源，第一LDNMOS管的源极通过第二电阻后接地；第二LDNMOS管的漏极接第一LDPMOS管的漏极，第二LDNMOS管的栅极接第二LDPMOS管的漏极，第二LDNMOS管的源极依次通过第三电阻和第二电阻后接地；第二LDNMOS管栅极与第二LDPMOS管漏极的连接点还通过第一电容后接地；
第一NMOS管的漏极通过第一电阻后接电源，第一NMOS管的栅极接第二LDNMOS管的源极，第一NMOS管的源极接地；第一NMOS管漏极与第一电阻的连接点接第一齐纳二极管的阴极，第一齐纳二极管的阳极接地；
第二NMOS管的漏极接第二LDPMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极接第二LDNMOS管的源极，第二NMOS管的源极接地；
NPN管的集电极接电源，NPN管的基极接第二齐纳二极管的阴极，第二齐纳二极管的阳极接地；
第四NMOS管的漏极接第三LDPMOS管的漏极，第四NMOS管的栅极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，张永瑜，叶自凯，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51