一种穆勒矩阵检测装置的校准方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种穆勒矩阵检测装置的校准方法，包括以下步骤：S1建立入射光分别倾斜射入至穆勒矩阵检测装置的第一波片和第二波片表面时的相位延迟扰动理论模型，以建立光强值与误差项的关系模型；S2用所述穆勒矩阵检测装置测量标准样品的光强值I；S3将步骤S2获得的所述标准样品的光强值I和已知的所述标准样品的穆勒矩阵式Msam

【技术实现步骤摘要】
一种穆勒矩阵检测装置的校准方法
本专利技术涉及偏振成像
，尤其是一种穆勒矩阵检测装置的校准方法。
技术介绍
偏振成像是一种非标记，无损伤，亚波长分辨率的快速检测技术，它与非偏振光学成像技术在硬件上兼容，只需添加起偏模块和检偏模块便可实现偏振测量。并且偏振成像技术能提供比非偏振成像更加丰富的样品微观结构信息，因此广泛应用于生物医学诊断，材料表征，军事目标识别等各个领域。偏振光学中往往使用穆勒矩阵描述光与物质相互作用的变换过程，穆勒矩阵能完备地表征样品所有偏振信息，如二向色性，相位延迟，退偏等。穆勒矩阵测量因此受到越来越多的关注。现有的穆勒矩阵检测装置包括依次排列在一条光路上的一光源、准直透镜、第一偏振片、第一波片、样品固定器、会聚透镜、第二波片、第二偏振片和探测器CCD(电荷耦合器件)。其中，第一偏振片和第一波片构成起偏器，第二波片和第二偏振片构成检偏器；第一波片和第二波片均为四分之一波片，并分别设置于第一电位移平台和第二电位移平台上；第一电位移平台与第一伺服电机电路连接，第二电位移平台与第二伺服电机电路连接；在第一伺服电机和第二伺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种穆勒矩阵检测装置的校准方法，所述穆勒矩阵检测装置包括依次排列在一条光路上的光源、准直透镜、第一偏振片、第一波片、样品固定器、会聚透镜、第二波片、第二偏振片和CCD，其特征在于，所述校准方法包括以下步骤：/nS1：建立入射光分别倾斜射至所述第一波片和所述第二波片表面时的相位延迟扰动理论模型，以建立光强值与误差项的关系模型，其中，/n建立相位延迟扰动理论模型为：/nδ＝δ

【技术特征摘要】
20210520 CN 20211055438181.一种穆勒矩阵检测装置的校准方法，所述穆勒矩阵检测装置包括依次排列在一条光路上的光源、准直透镜、第一偏振片、第一波片、样品固定器、会聚透镜、第二波片、第二偏振片和CCD，其特征在于，所述校准方法包括以下步骤：
S1：建立入射光分别倾斜射至所述第一波片和所述第二波片表面时的相位延迟扰动理论模型，以建立光强值与误差项的关系模型，其中，
建立相位延迟扰动理论模型为：
δ＝δ0+acos2θ
其中，δ0为固有的相位延迟量，acos2θ为光斜入射至所述第一波片或所述第二波片导致的相位延迟扰动，a为常数，θ为入射光在波片平面的投影与快轴方向夹角；
设定入射光斜入射至所述第一波片时，所述第一波片的实际相位为δR1＝x4+x6sin(2γq+2x8)，其中，x4为入射光通过所述第一波片的平均相位延迟量，x6为入射光通过所述第一波片的相位延迟扰动的振幅，x8为入射光通过所述第一波片的扰动相位；q为第q次测量；γ为所述第一波片绕光路旋转的角速度；
设定入射光斜入射至所述第二波片时，所述第二波片的实际相位为δR2＝x5+x7sin(10γq+2x9)，其中，x5为入射光通过所述第二波片的平均相位延迟量，x7为入射光通过所述第二波片的相位延迟扰动的振幅，x9为入射光通过所述第二波片的扰动相位；
建立光强值与误差项的关系模型为：



其中，q为第q次测量；I(q)为第q次测量的光强值；为入射光偏振态；MP2为所述第二偏振片的穆勒矩阵；MR2为所述第二波片的穆勒矩阵；Msample为任意标准样品的穆勒矩阵；MR1为所述第一波片的穆勒矩阵；MP1为所述第一偏振片的穆勒矩阵，为Sin的转置；x1为所述第一波片的快轴相对所述第一偏振片的透光轴方向的角度偏差；x2为所述第二波片的快轴相对所述第一偏振片的透光轴方向的角度偏差；x3为所述第二偏振片的透射方向相对所述第一偏振片的透光轴方向的角度偏差；δR1为入射光斜入射至所述第一波片时所述第一玻片的实际相位；δR2为入射光斜入射至所述第二波片时所述第二玻片的实际相位；
S2：用所述穆勒矩阵检测装置测量标准样品的光强值I；
S3：将步骤S2获得的所述标准样品的光强值I和已知的所述标准样品的穆勒矩阵式Msample代入方程组：



S4：通过数值校准法求解光强值...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐志列，付瑶，陈振华，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东;44