保护膜形成用复合片及带有保护膜的芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片(10)和形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜(13)，所述支撑片的所述保护膜形成用膜(13)侧的面(10a)(12a)在23℃下的探针初粘力值为500mN以上，所述支撑片的所述保护膜形成用膜(13)侧的面(10a)(12a)在0℃下的环形初粘力值为500mN以上。

【技术实现步骤摘要】
保护膜形成用复合片及带有保护膜的芯片的制造方法
本专利技术涉及保护膜形成用复合片及带有保护膜的芯片的制造方法。本申请基于2020年2月6日在日本提出申请的日本特愿2020-18870号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路形成面上具有凸点(bump)等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路形成面为相反侧的面(背面)有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面有时会形成作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，并作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。保护膜用于防止在切割工序或封装之后在半导体芯片上产生裂纹。为了形成这样的保护膜。例如，使用一种保护膜形成用复合片，其由在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜而构成。保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜。此外，在将背面具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆分割成半导体芯片时，支撑片能够用于固定半导体晶圆。并且，支撑片还能够用作切割片，保护膜形成用复合片还能够用作将保护膜形成用膜与切割片一体化而成的片材。更具体而言，保护膜形成用复合片以下述方式使用。即，首先，在半导体晶圆的所述背面贴附保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜，得到层叠体。然后，以集中在设定于半导体晶圆内部的焦点上的方式照射激光，从而在半导体晶圆的内部形成改质层，然后在低于常温的温度条件下，将形成有该改质层且在背面贴附有保护膜形成用膜的半导体晶圆与该保护膜形成用膜一同沿保护膜形成用膜的平面方向进行扩展，由此割断保护膜形成用膜，并同时在改质层的部位分割半导体晶圆。然后，在常温下，用水清洗所得到的依次具备保护膜形成用膜、半导体芯片的层叠体。对于清洗，通常一边旋转清洗用工作台一边进行清洗。然后，将该已切断的保护膜形成用膜固化，制成保护膜之后，从支撑片上分离并拾取背面具备已切断的保护膜的半导体芯片。在上述工序中，在将保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆的所述背面而得到层叠体时，有时会在半导体晶圆外周部产生露出有保护膜形成用膜的保护膜形成层。该保护膜形成层有时会在扩展工序中，因其受到冲击而从支撑片上剥离，或在支撑片与该保护膜形成层之间产生浮起，而该浮起会在扩展后的水洗工序中，成为水浸入至支撑片与保护膜形成层之间的位置。若水浸入，则会导致保护膜形成层的剥离。剥落的保护膜形成层可能会附着在半导体芯片上。半导体芯片上附着有保护膜形成层的为不良品，无法上市。专利文献1公开了一种由基材膜与形成在该基材膜上的自粘性树脂层构成的芯片分拣用片，其中，在所述芯片分拣用片上保持有半导体芯片的半导体芯片保持结构中，由于所述自粘性树脂层具有初粘性(tack)，能够在半导体芯片不发生脱落的状态下进行收纳及搬运。此外，专利文献2公开了一种粘着片，其粘着剂层的探针初粘力值(probetackvalue)为50N/5mmΦ以上，半导体芯片的保持性优异。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开第2009-246301号公报专利文献2：日本特开第2015-168711号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在专利文献1及专利文献2中，虽然公开了由于自粘性树脂层或粘着剂层具有初粘性而半导体芯片的保持性优异的片材，但均未对保护膜形成用复合片进行任何公开。本专利技术的目的在于提供一种保护膜形成用复合片，其通过抑制在低于常温的温度下的扩展工序中，在晶圆外周部发生支撑片与保护膜形成层之间的浮起，从而能够抑制在所述扩展后的水洗工序中，晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上流出，并且能够抑制在所述扩展工序中，所述晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上剥离。此外，本专利技术的目的在于提供一种保护膜形成用复合片，其即使在所述扩展工序中，在支撑片与保护膜形成用膜之间产生浮起，也能够在进行之后的水洗工序之前使晶圆外周部的保护膜形成层与支撑片再次密合，抑制在所述扩展后的水洗工序中，水浸入至支撑片与保护膜形成层之间，进而能够抑制晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上流出。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本申请的专利技术人进行了认真研究，结果发现，通过使保护膜形成用膜侧的在0℃下的环形初粘力值(looptackvalue)为500mN以上，且在23℃下探针初粘力值为500mN以上，能够抑制在低于常温的温度下的扩展工序中，晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上剥离，并且能够抑制在所述扩展后的水洗工序中，晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上剥离，从而完成了本专利技术。即，本专利技术如下所示。[1]一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片和形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜，其中，所述支撑片的所述保护膜形成用膜侧的面在23℃下的探针初粘力值为500mN以上，所述支撑片的所述保护膜形成用膜侧的面在0℃下的环形初粘力值为500mN以上。[2]根据[1]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片具备基材和形成在所述基材的一个面上的粘着剂层，在所述支撑片的所述粘着剂层侧层叠有所述保护膜形成用膜。[3]根据[2]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层为非能量射线固化性。[4]根据[2]或[3]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层的玻璃化转变温度为-50℃～-1℃。[5]根据[4]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层含有丙烯酸2-乙基己酯。[6]一种带有保护膜的芯片的制造方法，其具备以下工序：在[1]～[5]中任一项所述的保护膜形成用复合片的所述保护膜形成用膜的一侧上层叠晶圆，制成层叠体的工序；对所述晶圆的内部照射激光，从而在所述晶圆的内部形成改质层的工序；在低于常温的温度下，沿平行于所述保护膜形成用复合片的平面的方向扩展所述层叠体，从而分割所述晶圆和所述保护膜形成用膜的工序；对扩展后的所述层叠体进行水洗的工序；将所述层叠体中的所述保护膜形成用膜固化，从而将所述保护膜形成用膜制成保护膜的工序。专利技术效果根据本专利技术，提供一种保护膜形成用复合片、及使用有所述保护膜形成用复合片的带有保护膜的芯片的制造方法，该保护膜形成用复合片抑制了在低于常温的温度下的扩展工序中，晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上剥离，并且抑制了在所述扩展后的水清洗工序中，晶圆外周部的保护膜形成层从支撑片上剥离。附图说明图1为示意性示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图2为示意性示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图3为示意性示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图4为示意性示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图5为示意性示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图6A为示意性示出带有保护膜的芯片的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片和形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜，其中，/n所述支撑片的所述保护膜形成用膜侧的面在23℃下的探针初粘力值为500mN以上，/n所述支撑片的所述保护膜形成用膜侧的面在0℃下的环形初粘力值为500mN以上。/n

【技术特征摘要】
20200206 JP 2020-0188701.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片和形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜，其中，
所述支撑片的所述保护膜形成用膜侧的面在23℃下的探针初粘力值为500mN以上，
所述支撑片的所述保护膜形成用膜侧的面在0℃下的环形初粘力值为500mN以上。


2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片具备基材和形成在所述基材的一个面上的粘着剂层，在所述支撑片的所述粘着剂层侧层叠有所述保护膜形成用膜。


3.根据权利要求2所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层为非能量射线固化性。


4.根据权利要求2或3所述的保...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本大辅，米山裕之，古野健太，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP