一种微细硫化铟粉体及靶材的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微细硫化铟粉体及靶材的制备方法，所述微细硫化铟粉体的制备方法包括如下步骤：将H

【技术实现步骤摘要】
一种微细硫化铟粉体及靶材的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池材料
，具体涉及一种微细硫化铟粉体及靶材的制备方法。
技术介绍
随着世界人口的不断增长和经济的持续发展，人类社会对于能源的需求越来越大。其中，以石油、煤炭等为代表的传统能源的供应已经越来越难以满足日益增长的能源消耗。为此，太阳能、风能、地热能、生物质能、潮汐能等新能源的开发迫在眉睫。硫化铟(In2S3)是一种重要的半导体材料，具有特殊的光电、光致发光等性能，在燃料电池、电化学传感器及光电功能材料等领域有很大的应用价值。In2S3有3种不同的缺陷结构：α-In2S3(缺陷立方)、β-In2S3(缺陷尖晶石，以立方或四方的结构形式存在)和γ-In2S3(层状六方)。β-In2S3是一种N型半导体，禁带宽度为2.00～2.30eV，是典型的III～VI族硫化物；它是一种很有应用潜力的光电材料，由于其光电特性及荧光性能，已作为绿色和红色无机发光材料应用于彩电显像管和光伏发电机中。同时，硫化铟还作为缓冲层被应用于Cu(In,Ga)Se2太阳能电池中，有效地替代了有毒的CdS。据报道本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微细硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)湿法合成硫化铟/n将H

【技术特征摘要】
1.一种微细硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)湿法合成硫化铟
将H2S气体通入In2(SO4)3溶液中，搅拌下反应合成硫化铟，反应结束后，对合成产物进行漂洗、过滤、煅烧、球磨及过筛，得到粒度D90为20～40μm的硫化铟粉体；
(2)气流粉碎
将步骤(1)得到的硫化铟粉体进行气流粉碎，气流粉碎的加料压力和粉碎压力为8～12kg，加料速度为3～5kg/h的匀速，加料结束后继续通气3～5min，得到D90＜5μm的微细硫化铟粉体。


2.如权利要求1所述的微细硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，In2(SO4)3溶液的In3+浓度为100～200g/L，H2S气体的流量为2～3L/min。


3.如权利要求1所述的微细硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，搅拌速率为200～300RPM。


4.如权利要求1所述的微细硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，所述In2(SO4)3溶液的纯度为5N以上，所述H2S气体的纯度为2N以上。


5.如权利要求1所述的微细硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，所述气流粉碎使用MQW03气流...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文兴，白平平，童培云，谢小豪，
申请(专利权)人：先导薄膜材料有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34