一种高纯氧化铝陶瓷基板及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高纯氧化铝陶瓷基板及其制备工艺，所述陶瓷基板采用经特别提纯的超细α‑氧化铝粉为主相材料，镁铝尖晶石粉体为助熔剂，氧化镧及氧化钇为添加剂；氧化铝粉的要求：Al2O3的纯度≥99.9%，SiO2的含量＜0.05%，Fe2O3的含量＜0.02%，Na2O的含量＜0.02%；ɑ‑Al2O3的转化率≥96%；电导率＜100µs/cm。2.本发明专利技术之高纯氧化铝陶瓷基板制备工艺所制备的陶瓷基板，体积密度≥3.92g/cm3，体积电阻率≧10145Ω·cm，热导率＞2930W/（m·K），介电常数9~10（1MHz，25℃），抗弯强度≥450MPa。所述制备工艺采用流延成型工艺和常压烧结方法。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯氧化铝陶瓷基板及其制备工艺
本专利技术涉及半导体功率模块、电源模块、5G基站建设所用的一种高纯氧化铝陶瓷基板及其制备工艺；具体是一种具有较高体积电阻率和较高抗弯强度的氧化铝陶瓷基板及其制备工艺。
技术介绍
96％氧化铝陶瓷由于具有较高的性价比应用广泛，但体积电阻率及热导率不是很优异。近年来，陶瓷基板由于热导率高高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点在电子器件封装中得到广泛应用。随着微波功率、半导体功率模块、5G基站建设等应用领域器件封装可靠性需求的不断增高，对氧化铝的热导率和抗弯强度有着更高的要求。由于氧化铝含量99％以上的陶瓷基板具有比氧化铝含量96％的陶瓷基板更高的热导率及抗弯强度，因此，有必要提供一种具有较高热导率及抗弯强度的氧化铝陶瓷基板及其制备工艺。
技术实现思路
有鉴于
技术介绍
的不足，本专利技术的目的在于提供一种具有较高热导率和抗弯强度的氧化铝陶瓷基板及其制备工艺，满足半导体功率模块、电源模块、5G基站建设所需陶瓷基板的要求。本专利技术的目的是通过以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板采用D

【技术特征摘要】
1.一种高纯氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板采用D50粒径0.8～1.5μm的高纯α-氧化铝粉为主相材料，所述高纯α-氧化铝粉Al2O3的含量大于等于99.9％，SiO2的含量小于0.05％，Fe2O3的含量小于0.02％，Na2O的含量小于0.02％，ɑ-Al2O3的转化率大于等于96％；采用D50粒径0.5～0.9μm的镁铝尖晶石粉体为助熔剂，采用D50粒径0.5～0.8μm氧化镧及氧化钇作为特种添加剂；所述α-氧化铝粉、镁铝尖晶石粉体及氧化镧及氧化钇特种添加剂构成无机粉料，质量份数合计100份，其组成配比为：α-氧化铝粉大于99份，所述镁铝尖晶石粉的质量为所述无机粉料的总质量的0.2-0.7％，所述氧化镧及氧化钇作为特种添加剂各占无机粉料总质量的0.05-0.15％，氧化镧、氧化钇单独添加或者两者混合添加。


2.根据权利要求1所述的高纯氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述高纯氧化铝陶瓷基板所使用的高纯α-氧化铝粉相比普通氧化铝粉进行了提纯，采用去离子水进行反复多次冲洗，并用电子除铁器进行除铁，使得氧化铝的纯度大于等于99.9％，电导率小于100μs/cm。


3.根据权利要求1或2所述的高纯氧化铝陶瓷基板，其特征在于：制备所述高纯氧化铝陶瓷基板的原料中，还包括溶剂、分散剂、粘接剂及增塑剂。


4.根据权利要求3所述的高纯氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述溶剂为无水乙醇和丁酮的二元共沸混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴崇隽，段明新，丁志静，孔丽萍，牛晓阳，张晓娜，
申请(专利权)人：郑州中瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41