开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路制造技术

本实用新型专利技术提供一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路，其包括：MOS管Q1、MOS管Q2以及电压分压回路；MOS管Q1、MOS管Q2的栅极输出电压，MOS管Q1的漏极连接于MOS管Q2的源极，MOS管Q2的栅极连接电压分压回路，电压分压回路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1。本实用新型专利技术能够改善场效应晶体管耐压不足的问题，其通过额外增加1个辅助线路和场效应晶体管，来解决场效应晶体管漏源极耐压不足的问题,如此可彻底解决场效应晶体管在开关电源中损坏的问题，能大大提高使用开关电源的寿命和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路
本技术涉及电子线路
，尤其涉及一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路。
技术介绍
场效应晶体管是开关电源的核心元器件，开关电源都需要使用场效应晶体管。在开关电源设计中，场效应晶体管经常因漏源电压超出零件规格而损坏或者在开机通电时，场效应晶体管产生的峰值电压超出元器件的额定值，造成元器件损坏，从而影响产品的寿命和信耐性。因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路，以克服现有技术中存在的不足。为实现上述技术目的，本技术提供一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路，其包括：MOS管Q1、MOS管Q2以及电压分压回路；所述MOS管Q1、MOS管Q2的栅极输出电压，所述MOS管Q1的漏极连接于所述MOS管Q2的源极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电压分压回路，所述电压分压回路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1，所述电阻R1、电阻R2串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，且所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3与所述电阻R1、电阻R2并联，所述二极管ZD1跨接于所述MOS管Q2的栅极和源极之间。作为本技术的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路的改进，所述MOS管Q1的栅极输出脉冲电压。作为本技术的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路的改进，所述二极管TVS3接地设置。作为本技术的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路的改进，所述MOS管Q2的漏极还与一绕组T1相连接。作为本技术的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路的改进，所述MOS管Q2的漏极经二极管D1与相互并联的电阻R4、R5串联，所述并联的电阻R4、R5跨接于所述绕组T1的两端。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术能够改善场效应晶体管耐压不足的问题，其通过额外增加1个辅助线路和场效应晶体管，来解决场效应晶体管漏源极耐压不足的问题,如此可彻底解决场效应晶体管在开关电源中损坏的问题，能大大提高使用开关电源的寿命和稳定性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路一实施例的电路图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内。本技术提供一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路，其包括：MOS管Q1、MOS管Q2以及电压分压回路；所述MOS管Q1、MOS管Q2的栅极输出电压，所述MOS管Q1的漏极连接于所述MOS管Q2的源极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电压分压回路，所述电压分压回路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1，所述电阻R1、电阻R2串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，且所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3与所述电阻R1、电阻R2并联，所述二极管ZD1跨接于所述MOS管Q2的栅极和源极之间。下面结合一实施例，对本技术的技术方案进行举例说明。如图1所示，本实施例的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路包括：OS管Q1、MOS管Q2以及电压分压回路。所述MOS管Q1、MOS管Q2的栅极输出电压，所述MOS管Q1的漏极连接于所述MOS管Q2的源极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电压分压回路。其中，所述MOS管Q1的栅极输出脉冲电压。所述电压分压回路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1。其中，所述电阻R1、电阻R2串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，且所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3与所述电阻R1、电阻R2并联，所述二极管ZD1跨接于所述MOS管Q2的栅极和源极之间。同时，出于安全性的考虑，所述二极管TVS3接地设置。此外，所述MOS管Q2的漏极还与一绕组T1相连接。此时，所述MOS管Q2的漏极经二极管D1与相互并联的电阻R4、R5串联，所述并联的电阻R4、R5跨接于所述绕组T1的两端。本实施例的开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路工作时，开关电源通电后，MOS管Q1的栅极会产生一脉冲电压(PWM)，MOS管Q1处于开关状态。Q2的栅极连接电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1组成的电压分压回路，MOS管Q2的栅极会产生一个电压。从而，MOS管Q1处于开关导通状态时，MOS管Q2也处于开关导通状态，MOS管Q1、Q2处于同步导通状态，如此MOS管Q1的漏源极电压会增加MOS管Q2的漏源极电压，开关电源中使用的场效应晶体管之漏源电压就是MOS管Q1、Q2的2个场效应晶体管漏源电压之和。上述设计大幅度增加了开关电源场效应晶体管的耐压值，从而彻底解决场效应晶体管在开关电源中损坏的问题，进而能大大提高使用开关电源的寿命和稳定性。综上所述，本技术能够改善场效应晶体管耐压不足的问题，其通过额外增加1个辅助线路和场效应晶体管，来解决场效应晶体管漏源极耐压不足的问题,如此可彻底解决场效应晶体管在开关电源中损坏的问题，能大大提高使用开关电源的寿命和稳定性。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路，其特征在于，所述开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路包括：MOS管Q1、MOS管Q2以及电压分压回路；/n所述MOS管Q1、MOS管Q2的栅极输出电压，所述MOS管Q1的漏极连接于所述MOS管Q2的源极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电压分压回路，所述电压分压回路包括：电阻R1、电阻R2、电阻 R3、二极管 TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1，所述电阻R1、电阻R2串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，所述电阻 R3、二极管 TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，且所述电阻 R3、二极管 TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3与所述电阻R1、电阻R2并联，所述二极管ZD1跨接于所述MOS管Q2的栅极和源极之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路，其特征在于，所述开关电源场效应晶体管漏源电压增强线路包括：MOS管Q1、MOS管Q2以及电压分压回路；
所述MOS管Q1、MOS管Q2的栅极输出电压，所述MOS管Q1的漏极连接于所述MOS管Q2的源极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电压分压回路，所述电压分压回路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3以及二极管ZD1，所述电阻R1、电阻R2串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3串联后与所述MOS管Q2的栅极相连接，且所述电阻R3、二极管TVS1、二极管TVS2、二极管TVS3与所述电阻R1、电阻R2并联，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶庆兵，
申请(专利权)人：苏州健德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32