适配器脉宽调制驱动线路制造技术

本实用新型专利技术提供一种适配器脉宽调制驱动线路，其包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。本实用新型专利技术的适配器脉宽调制驱动线路通过提供mos管关断时的泄放路径，当mos管关断时,三极管Q2导通，从而把mos管驱动信号上的电压通过三极管Q2泄放到接地端，降低了电磁能，从而可以改善电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】
适配器脉宽调制驱动线路
本技术涉及一种驱动线路，尤其涉及一种适配器脉宽调制驱动线路。
技术介绍
适配器初级侧通常采用脉冲宽度调制(PWM)，脉冲宽度调制通过PWM信号来驱动场效应半导体(MOSFET)，PWM的信号是高频(65K~100KHz)信号。然而，高频率的驱动信号将产生电磁信号，此信号会干扰和影响周边电子设备，从而影响适配器和周边电子设备的正常运行和寿命。因此，针对如何释放上述电磁干扰信号，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种适配器脉宽调制驱动线路，以克服现有技术中存在的不足。为实现上述技术目的，本技术提供一种适配器脉宽调制驱动线路，其包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适配器脉宽调制驱动线路，其特征在于，所述适配器脉宽调制驱动线路包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；/n所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1 的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种适配器脉宽调制驱动线路，其特征在于，所述适配器脉宽调制驱动线路包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；
所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。


2.根据权利要求1所述的适配器脉宽调制驱动线路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶庆兵，
申请(专利权)人：苏州健德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32