适配器脉宽调制驱动线路制造技术

本实用新型专利技术提供一种适配器脉宽调制驱动线路，其包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。本实用新型专利技术的适配器脉宽调制驱动线路通过提供mos管关断时的泄放路径，当mos管关断时,三极管Q2导通，从而把mos管驱动信号上的电压通过三极管Q2泄放到接地端，降低了电磁能，从而可以改善电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】
适配器脉宽调制驱动线路
本技术涉及一种驱动线路，尤其涉及一种适配器脉宽调制驱动线路。
技术介绍
适配器初级侧通常采用脉冲宽度调制(PWM)，脉冲宽度调制通过PWM信号来驱动场效应半导体(MOSFET)，PWM的信号是高频(65K~100KHz)信号。然而，高频率的驱动信号将产生电磁信号，此信号会干扰和影响周边电子设备，从而影响适配器和周边电子设备的正常运行和寿命。因此，针对如何释放上述电磁干扰信号，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种适配器脉宽调制驱动线路，以克服现有技术中存在的不足。为实现上述技术目的，本技术提供一种适配器脉宽调制驱动线路，其包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。作为本技术的适配器脉宽调制驱动线路的改进，所述第二引脚pin2接地设置。作为本技术的适配器脉宽调制驱动线路的改进，所述第一引脚pin1输出固定频率的脉冲方波信号。作为本技术的适配器脉宽调制驱动线路的改进，当脉冲方波信号是高电平时，通过电阻R1来驱动mos管Q1；当脉冲方波信号是低电平时，所述mos管栅极和源极之间积累的电荷通过所述释放单元进行释放。作为本技术的适配器脉宽调制驱动线路的改进，所述适配器脉宽调制驱动线路还包括电容C1，所述电容C1一端连接至所述电阻R1和mos管之间，另一端连接至三极管Q2和电阻R3之间。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术的适配器脉宽调制驱动线路通过提供mos管关断时的泄放路径，当mos管关断时,三极管Q2导通，从而把mos管驱动信号上的电压通过三极管Q2泄放到接地端，降低了电磁能，从而可以改善电磁干扰。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的适配器脉宽调制驱动线路一实施例的电路图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内。本技术提供一种适配器脉宽调制驱动线路，其包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。脉宽调制器U1正常工作时,第一引脚pin1输出固定频率的脉冲方波信号，当脉冲方波信号是高电平时，通过电阻R1来驱动MOS管Q1，当脉冲方波信号是低电平时,MOS管Q1的G-S存在一定的电荷，因为MOS管Q1参数(Ciss)的存在，MOS管G-S之间积累了越来越多的势能。本技术通过在线路中增加三极管Q2和电阻R2，在脉冲方波信号是低电平时，通过三极管Q2和电阻R2可以把mos管Q1G-S之间积累的电荷和势能泄放掉，从而可以避免积累的电荷和势能产生的电磁干扰。下面结合一具体的实施例，对本技术的适配器脉宽调制驱动线路的技术方案进行举例说明。如图1所示，本实施例的适配器脉宽调制驱动线路，其包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述第二引脚pin2接地设置。一个实施方式中，可采用现有的型号为RT7740的脉宽调制器。所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2.所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。所述第一引脚pin1输出固定频率的脉冲方波信号。当脉冲方波信号是高电平时，通过电阻R1来驱动mos管Q1；当脉冲方波信号是低电平时，所述mos管栅极和源极之间积累的电荷通过所述释放单元进行释放。此外，所述适配器脉宽调制驱动线路还包括电容C1，所述电容C1一端连接至所述电阻R1和mos管之间，另一端连接至三极管Q2和电阻R3之间。综上所述，本技术的适配器脉宽调制驱动线路通过提供mos管关断时的泄放路径，当mos管关断时,三极管Q2导通，从而把mos管驱动信号上的电压通过三极管Q2泄放到接地端，降低了电磁能，从而可以改善电磁干扰。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适配器脉宽调制驱动线路，其特征在于，所述适配器脉宽调制驱动线路包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；/n所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1 的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种适配器脉宽调制驱动线路，其特征在于，所述适配器脉宽调制驱动线路包括：脉宽调制器U1、mos管Q1、释放单元、电阻R1、电阻R3；
所述脉宽调制器U1具有第一引脚pin1和第二引脚pin2，所述第一引脚pin1经电阻R1与所述mos管Q1的栅极相连接，所述释放单元包括：电阻R2和三极管Q2，所述第一引脚pin1还依次经电阻R2、三极管Q2、电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接，所述三极管Q2的基极与所述电阻R2相连接，集电极连接于所述电阻R1和mos管Q1之间，发射极经电阻R3与所述mos管Q1的源极相连接。


2.根据权利要求1所述的适配器脉宽调制驱动线路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶庆兵，
申请(专利权)人：苏州健德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32