一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，包括电源隔离变压模块、开关驱动单元、限流保护单元和NMOS管，电源隔离变压模块用于电压转换为开关驱动单元和限流保护单元供电，限流保护单元通过采样电阻进行电流采样，采样结果反馈给MCU模块，MCU模块根据采样结果控制NMOS管导通或截止；本实用新型专利技术电路结构简单，在为负载提供过饱和保护功能外，还可以有效实现限流保护功能，从而使基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片应用电路具有限流保护和过饱和保护双重保护功能，满足市场对中、小功率保护电路的应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路
本技术涉及一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，属于开关驱动电路领域。
技术介绍
随着半导体技术不断发展，电子开关器件逐渐取代传统的开关器件，成为各种开关类控制产品的首选，广泛应用于工业生产、车辆控制、日常生活等各个领域，但是电子开关器件在初步应用时，需要大量的电子元器件才能实现负载驱动与保护双功能，为了解决这一问题，一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片应运而生；目前，市面上这种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片主要应用于中、大功率电路，为负载提供过饱和保护功能，而对于一些中、小功率电路，除了需要为负载提供过饱和保护功能外，还需要提供限流保护功能，因此，需要设计一种限流保护和过饱和保护双重功能保护电路，从而满足市场对中、小功率保护电路的应用需求。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本技术提供一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，该方案电路结构简单，在为负载提供过饱和保护功能外，还可以有效实现限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，其特征在于：包括电源隔离变压模块U2、开关驱动单元、限流保护单元和NMOS管，所述电源隔离变压模块U2用于电压转换为开关驱动单元和限流保护单元供电，所述限流保护单元通过采样电阻进行电流采样，采样结果反馈给MCU模块，MCU模块根据采样结果控制NMOS管导通或截止；所述开关驱动单元包括集成驱动芯片U1、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6和稳压管ZD2，所述集成驱动芯片U1的2脚连接电源正3.3V，所述电容C1连接在集成驱动芯片U1的2脚与地GND之间，所述电阻R1连接在集成驱动芯片U1的2脚与3脚之间，所述电阻R2连...

【技术特征摘要】
1.一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，其特征在于：包括电源隔离变压模块U2、开关驱动单元、限流保护单元和NMOS管，所述电源隔离变压模块U2用于电压转换为开关驱动单元和限流保护单元供电，所述限流保护单元通过采样电阻进行电流采样，采样结果反馈给MCU模块，MCU模块根据采样结果控制NMOS管导通或截止；所述开关驱动单元包括集成驱动芯片U1、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6和稳压管ZD2，所述集成驱动芯片U1的2脚连接电源正3.3V，所述电容C1连接在集成驱动芯片U1的2脚与地GND之间，所述电阻R1连接在集成驱动芯片U1的2脚与3脚之间，所述电阻R2连接在集成驱动芯片U1的2脚与6脚之间，且集成驱动芯片U1的6脚与7脚并联，所述电阻R5连接在集成驱动芯片U1的11脚与NMOS管的栅极之间，电阻R6和稳压管ZD2并联，并联后电阻R6和稳压管ZD2的一端与NMOS管的栅极连接，另一端与地GND_REF连接；集成驱动芯片U1的3脚FB_WW103端、8脚CON_WW103端分别与MCU模块连接，且集成驱动芯片U1的5脚和8脚并联连接；集成驱动芯片U1的13脚接供电电源，供电电源由电源隔离变压模块U2提供；集成驱动芯片U1的9脚、10脚、12脚及16脚接地GND_REF；集成驱动芯片U1的1脚和4脚接地GND；所述限流保护单元包括限流电阻R10、限流电阻R11、比较器U3、常闭型光耦N1、超快恢复二极管D1以及稳压管ZD1，所述限流电阻R10和限流电阻R11并联，并联后限流电阻R10和限流电阻R11的一端与NMOS管的源极连接并与...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维忠，孟德成，周炳星，
申请(专利权)人：南京长亚轨道交通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32