电荷泄放电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种电荷泄放电路，包括开关、第一三极管、第二三极管、第一MOS管、第一电阻、第二MOS管、第一电容和第二电容；开关与电源及第一三极管的基极连接，第一三极管的集电极与电源及第二三极管的基极连接，第二三极管的集电极与电源及第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的源极与电源连接；第一MOS管的漏极与第一电阻、第一电容和第二电容的一端连接，第一电阻的另一端与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的栅极与开关连接，第一、二三极管的发射极、第二MOS管的源极接地。本实用新型专利技术在闭合开关时，第一MOS管导通，第二MOS管截止，第一电阻处于不工作状态，避免了第一电阻产生耗流，延长了第一电阻的工作寿命。

【技术实现步骤摘要】
电荷泄放电路
本技术涉及电路
，特别涉及一种电荷泄放电路。
技术介绍
现有技术中是通过电阻泄放储能电容上储存的电荷，而为了实现储能电容快速放电，一般会选取阻值较小的电阻，但是不管电阻是否泄放储能电容上存储的电荷，该电阻都一直处于工作状态，而由于电阻的阻值比较小，一方面当电阻一直处于大电流的工作状态时，会大大增加电阻的耗流以及减小电阻的工作寿命；另一方面如果电阻长时间使用大电流，电阻的阻值会变大，无法实现快速泄放储能电容上储存的电荷。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中电阻一直处于工作状态，导致电阻产生耗流和减小电阻工作寿命的缺陷，提供一种电荷泄放电路。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：本技术提供了一种电荷泄放电路，所述泄放电路包括开关、第一三极管、第二三极管、第一MOS管、第一电阻、第二MOS管、第一电容和第二电容；所述开关的一端分别与外部电源及所述第一三极管的基极电连接，所述开关的另一端接地，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极分别与所述外部电源及所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电荷泄放电路，其特征在于，所述泄放电路包括开关、第一三极管、第二三极管、第一MOS管、第一电阻、第二MOS管、第一电容和第二电容；/n所述开关的一端分别与外部电源及所述第一三极管的基极电连接，所述开关的另一端接地，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极分别与所述外部电源及所述第二三极管的基极电连接，所述第二三极管的集电极分别与所述外部电源及所述第一MOS管的栅极电连接，所述第二三极管的发射极接地，所述第一MOS管的源极与所述外部电源电连接；/n所述第一MOS管的漏极分别与所述第一电阻的一端、所述第一电容的一端以及所述第二电容的一端电连接，所述第一电容的另一端以及所述第二电容...

【技术特征摘要】
1.一种电荷泄放电路，其特征在于，所述泄放电路包括开关、第一三极管、第二三极管、第一MOS管、第一电阻、第二MOS管、第一电容和第二电容；
所述开关的一端分别与外部电源及所述第一三极管的基极电连接，所述开关的另一端接地，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极分别与所述外部电源及所述第二三极管的基极电连接，所述第二三极管的集电极分别与所述外部电源及所述第一MOS管的栅极电连接，所述第二三极管的发射极接地，所述第一MOS管的源极与所述外部电源电连接；
所述第一MOS管的漏极分别与所述第一电阻的一端、所述第一电容的一端以及所述第二电容的一端电连接，所述第一电容的另一端以及所述第二电容的另一端均接地，所述第一电阻的另一端与所述第二MOS管的漏极电连接，所述第二MOS管的栅极与所述开关的一端电连接，所述第二MOS管的源极接地。


2.如权利要求1所述的电荷泄放电路，其特征在于，所述泄放电路还包括第二电阻、第三电阻和第四电阻；
所述第二电阻串接在所述外部电源与所述开关之间；
所述第三电阻串接在所述外部电源与所述第一三极管的集电极之间；
所述第四电阻串接在所述外部电源与所述第二三极管的集电极之间。


3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋绪涛，
申请(专利权)人：重庆芯讯通无线科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50