【技术实现步骤摘要】
发光器件及制备方法、显示面板和显示装置
本申请属于显示
,具体涉及一种发光器件及制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
QLED作为最具有潜力的下一代自发光显示技术,QLED具有能耗更低、色纯度更高、色域更广等突出优势,而QLED亚像素区域的精确制备是实现高分辨率显示器件的前提。现有技术中,需要通过光刻实现图案化QD薄膜的制备,容易导致QLED器件发光层的量子点混色的问题,影响发光效果。
技术实现思路
本申请实施例的目的是提供一种发光器件及制备方法、显示面板和显示装置,用以解决通过直接光刻等方式实现图案化量子点薄膜的制备容易导致量子点混色,影响发光效果的问题。第一方面,本申请实施例提供一种发光器件,包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:层叠设置的阴极、发光层与阳极;所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上;所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。其中,所述像素区域内还包括:电子传输层,所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子传输层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴传输层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者其中,所述像素区域内还包括:电子注入层,所述电子注入层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子注入层或所述阳极的靠近 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件,其特征在于,包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:/n层叠设置的阴极、发光层与阳极;/n所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上;/n所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:
层叠设置的阴极、发光层与阳极;
所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上;
所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述像素区域内还包括:
电子传输层,所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子传输层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴传输层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
所述像素区域内还包括:
电子注入层,所述电子注入层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子注入层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
空穴注入层,所述空穴注入层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴注入层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述粘附层中包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种;和/或
所述粘附层的厚度为1-8nm。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述像素区域包括第一像素区域和第二像素区域,所述发光层包括:
第一发光单元,所述第一发光单元设置在所述第一像素区域的粘附层上,所述第一发光单元中包括第一量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第一发光单元中的配位基团连接;
第二发光单元,所述第二发光单元设置在所述第二像素区域的粘附层上,所述第二发光单元中包括第二量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第二发光单元中的配位基团连接;
所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述像素区域包括第三像素区域,所述发光层包括:
第三发光单元,所述第三发光单元设置在所述第三像素区域的粘附层上,所述第三发光单元中包括第三量子点与所述配体,所述第三量子点与所述第三发光单元中的配位基团连接;
所述第三量子点的发光波长和所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述配位基团包括:
羟基、巯基、羧基、氨基、硫醚、膦和氧膦中的至少一种。
7.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层;
在所述发光层上形成第二电极;
其中,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极;或者,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成电子传输层;...
【专利技术属性】
技术研发人员:李卓,
申请(专利权)人:北京京东方技术开发有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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