发光装置制造方法及图纸

发光装置通过沿着堤结构采用反射光学腔改善光提取以具有增强的光输出。该发光装置包括：堤结构；发射腔，设置在该堤结构内；填充材料层，设置在该堤结构内并且位于该发射腔的发光侧上；以及反射光学腔，沿着该堤结构面向该填充材料层的内表面设置。该反射光学腔被配置为将被该填充材料层的发光侧表面内反射并入射到该反射光学腔上的光外耦合。反射光学腔包括由非导电电介质层分开的第一导电层和第二导电层。第一导电层抵靠堤构造的内表面配置，第二导电层抵靠与堤结构的内表面相对的填充材料层设置。发射腔包括设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层，第一导电层配置为第一电极层的延伸部，第二导电层配置为第二电极层的延伸部。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本申请涉及一种用于发光装置的层和堤结构，特别是用于显示装置的量子点发光二极管(quantumdotlight-emittingdiode，QLED)或有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，OLED)。特别地，本申请的实施方式提高了效率，减少了色移，并且提高了嵌入在由堤结构包围的高折射率封装材料中的顶发射发光装置结构的亮度。
技术介绍
存在有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)结构的多种常规配置，这些常规配置包括在LED结构中的光学腔以产生用于提取光的腔效应。例如，US2006/0158098(Raychaudhuri等人，2006年7月20日公开)描述了一种顶发射结构，并且US9583727(Cho等人，2017年2月28日公告)描述了一种OLED和QLED结构，该结构在反射区域之间具有多个发光区域，这些发光区域中的一个是部分透射发光。用于改进此类光学腔的亮度的方法，例如US2015/0084012(Kim等人，2015年3月26日公开)，包括在OLED结构中使用色散层。其他实例包括U本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：/n堤结构；/n发射腔，设置在所述堤结构内；/n填充材料层，设置在所述堤结构内并且位于所述发射腔的发光侧上；以及/n反射光学腔，沿着所述堤结构面向所述填充材料层的内表面设置，所述反射光学腔被配置为将由所述填充材料层的发射侧表面内反射并入射到所述反射光学腔上的光外耦合。/n

【技术特征摘要】
20200130 US 16/7772591.一种发光装置，其特征在于，包括：
堤结构；
发射腔，设置在所述堤结构内；
填充材料层，设置在所述堤结构内并且位于所述发射腔的发光侧上；以及
反射光学腔，沿着所述堤结构面向所述填充材料层的内表面设置，所述反射光学腔被配置为将由所述填充材料层的发射侧表面内反射并入射到所述反射光学腔上的光外耦合。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述反射光学腔包括由非导电电介质层分开的第一导电层和第二导电层。


3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一导电层抵靠所述堤构造的所述内表面配置，所述第二导电层抵靠与所述堤构造的所述内表面相对的所述填充材料层配置。


4.根据权利要求2或3所述的发光装置，其特征在于，所述发射腔包括设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层，所述第一导电层配置为所述第一电极层的延伸部，所述第二导电层配置为所述第二电极层的延伸部。


5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极层设置在所述发光层的非发光侧上，所述第二电极层设置在所述发光层的发光侧上，所述第一电极层在所述堤结构的发射侧表面上延伸。


6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极层设置在所述发光层的非发光侧上，所述第二电极层设置在所述发光层的发光侧上，所述第二电极层在所述堤结构的发光侧表面上延伸。


7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极层包括：与所述发射腔的发光侧相邻的第一部分；以及沿着所述堤结构的所述内表面从所述第一部分延伸而出的第二部分，所述第一部分和所述第二部分具有不同的特性。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，在所述反射光学腔内反射的光的相位差为2nπ，其中n为整数。


9.根据权利要求2至8中任一项所述的发光装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·詹姆斯·蒙哥马利，蒂姆·米迦勒·斯米顿，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP