一种磷化铟衬底的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种磷化铟衬底的制备方法，依次包括切割、背面研磨、正面减薄、腐蚀、抛光、清洗和包装的步骤。本发明专利技术磷化铟衬底的制备方法，创造性地在开发出了研磨结合减薄的方法，来分别处理晶片的正面和背面，可在晶片进行CMP抛光前获得粗糙度Ra值在100‑150nm的主表面来料，极大地减少了抛光前衬底损伤层的厚度，大大地缩短了磷化铟衬底的CMP抛光时间；解决了当前磷化铟衬底制造过程中，因双面研磨工艺带来的衬底表面机械损伤率高、机械损伤层厚、表面粗糙度差、平整度一致性差等一系列问题；通过腐蚀液的改进，减少了环境污染，改善了工作环境，腐蚀液有效寿命的到了大大的提升，同时提高了腐蚀效率。

【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟衬底的制备方法
本专利技术涉及一种磷化铟衬底的制备方法，属于磷化铟衬底制备

技术介绍
磷化铟(InP)是第二代半导体材料，为闪锌矿型晶体结构，禁带宽度为1.34eV，其以高电子迁移速率、高禁带宽度、高热导率在光电芯片衬底材料应用中占据优势，并且是光模块半导体激光器和接收器的关键材料。根据半导体LD和LED，衬底的平整度对外延膜的形成和做成器件时都有举足轻重的影响。根据行业内现状，目前的磷化铟衬底加工时，为双面研磨，在加工过程中需要去除相当一部分晶片厚度，造成晶体材料的浪费，并且因为去除厚度太高，造成加工时间长，产品平整度精度低。
技术实现思路
本专利技术提供一种磷化铟衬底的制备方法，通过研磨结合减薄的方法来分别处理晶片的正面和背面，可在晶片进行CMP抛光前获得粗糙度Ra值在100-150nm的主表面来料，极大地减少了抛光前衬底损伤层的厚度，大大地缩短了磷化铟衬底的CMP抛光时间；解决了当前磷化铟衬底制造过程中，因双面研磨工艺带来的衬底表面机械损伤率高、机械损伤层厚、表面粗糙度差、平整度一致性差等一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷化铟衬底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1)使用多线切割机切割出厚度为400-800um的磷化铟晶片，并对晶片边缘进行磨边倒角、使晶片边缘纵截面呈圆弧状；/n2)对步骤1)所得晶片的背面进行研磨，去除背面多线切割造成的锯纹，研磨时，晶片单位面积承受的压力为0.1-1.6N/cm

【技术特征摘要】
1.一种磷化铟衬底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)使用多线切割机切割出厚度为400-800um的磷化铟晶片，并对晶片边缘进行磨边倒角、使晶片边缘纵截面呈圆弧状；
2)对步骤1)所得晶片的背面进行研磨，去除背面多线切割造成的锯纹，研磨时，晶片单位面积承受的压力为0.1-1.6N/cm2；
3)在减薄机上对步骤2)所得晶片正面进行减薄，减薄后晶片正面的糙度为100-150nm，减薄的厚度在2um以内；
4)用腐蚀液对步骤3)所得晶片进行湿法腐蚀，至晶片厚度减少5-10um，然后用水洗涤、烘干；腐蚀液为浓浓硫酸、双氧水和水体积比为1:1：(2～3)的混合液；
5)将步骤4)所得的晶片通过进行CMP抛光至粗糙度为0.2-0.3nm、平整度和弯曲度均在5um以内、翘曲度在2um内；
6)清洗除去步骤5)所得晶片表面的脏污；
7)将步骤6)所得的晶片密封在充满惰性气体的包装袋内。


2.如权利要求1所述的磷化铟衬底的制备方法，其特征在于：步骤3)中，使用不同目数的砂轮对主面进行旋转磨削，使晶片均匀的变...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴达，周锐，柯尊斌，吴怀东，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32