一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，在舟中装载硅片，在进舟升温之后，将炉管内压力控制在300～760torr，升温，待温度稳定在400‑450℃后通入氧气，进行一次SiO

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法。
技术介绍
高效率、低成本是太阳能电池研究最重要的两个方向。对于晶体硅太阳能电池来说，随着晶体硅制造技术的提升，基体硅片的体载流子寿命不断提高，已经不再是制约电池效率提升的关键因素。而电池表面的钝化对转换效率的影响越来越明显。太阳能电池的生产过程中，基体硅片的成本占整个生产成本的比例最高，为降低生产成本，尽快实现光伏电价“平价上网”，提高市场竞争力，硅片薄化是必然的趋势，随之产生的问题就是电池表面复合严重。这就为太阳能电池表面钝化技术提出了挑战，为了在硅片薄化的过程中仍然保持电池的高转化效率，对晶体硅太阳能电池表面钝化技术的研究是必不可少的。因此，无论是提高太阳能电池的转换效率，还是降低太阳能电池的生产成本，对于晶体硅太阳能电池表面钝化技术的研究都必不可少。隧穿氧化层钝化接触技术(TunnelOxidePassivated)由德国FraunhoferISE研究所发布，其结构由一层超薄的氧化层和重掺杂的多晶硅层组成，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，其特征是，包括以下步骤：/n(1)将完成表面抛光的硅片装入舟中，将舟推入内部温度为400-450℃的氧化装置中，抽真空，控制压力为300～760torr；/n(2)温度稳定在400-450℃，通入O

【技术特征摘要】
1.一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)将完成表面抛光的硅片装入舟中，将舟推入内部温度为400-450℃的氧化装置中，抽真空，控制压力为300～760torr；
(2)温度稳定在400-450℃，通入O2，进行第一次SiO2生长；
(3)步骤(2)完成后，抽真空，使氧化装置内压力小于1000mtorr；
(4)控温稳定后通入O2，进行第二次SiO2生长，控温范围为500～600℃；
(5)氧化完成后，打开真空泵，使氧化装置氛围为100mtorr以下低压状态；
(6)降温，破真空后将舟从氧化装置中取出；
(7)将硅片从舟上取下。


2.根据权利要求1所述的一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，其特征是，步骤(1)中，控制压力为500-760torr。


3.根据权利要求1所述的一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，其特征是，步骤(2)中，控制压力为300～760torr，通入O2流量范围为5-30slm，时间为5～30分钟。


4.根据权利要求3所述的一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，其特征是，步骤(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧文凯，
申请(专利权)人：普乐新能源科技徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32