半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置，能够抑制处理室内因膜剥落而产生颗粒。本发明专利技术的半导体装置的制造方法包括：(a)将形成有氧化膜的基板搬入形成有含金属膜的处理室内的工序，(b)向处理室内供给含有14族元素和氢的气体或含氧气体的至少一种的工序，和(c)在(b)工序后在基板上形成含金属膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
本公开涉及半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置。
技术介绍
作为具有三维结构的NAND型闪存、DRAM的行地址线路(wordline)，例如使用低电阻的钨(W)膜。此外，在该W膜和绝缘膜之间有时设置例如氮化钛(TiN)膜来作为障壁膜(例如，参照专利文献1和专利文献2)。TiN膜具有提高W膜和绝缘膜的密合性的作用，有时在该TiN膜上形成用于W膜生长的成核膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-66263号公报专利文献2：国际公开第2019/058608号小册子
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，这样的成核膜也会形成在处理室内的内壁、伪基板(dummysubstrate)等上，如果累积膜厚变厚，则会作为大晶粒而异常生长，有时产生膜剥落。本公开的目的在于，提供一种技术，能够抑制在处理室内因膜剥落而引起的颗粒的产生。解决课题的方法根据本公开的一方面，提供一种半导体装置的制造方法，包括(a)将形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n(a)将形成有氧化膜的基板搬入形成有含金属膜的处理室内的工序，/n(b)向所述处理室内供给含有14族元素和氢的气体或含氧气体的至少一方的工序，和/n(c)在(b)工序后在所述基板上形成所述含金属膜的工序。/n

【技术特征摘要】
20200131 JP 2020-0144781.一种半导体装置的制造方法，包括：
(a)将形成有氧化膜的基板搬入形成有含金属膜的处理室内的工序，
(b)向所述处理室内供给含有14族元素和氢的气体或含氧气体的至少一方的工序，和
(c)在(b)工序后在所述基板上形成所述含金属膜的工序。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(b)中，供给所述含有14族元素和氢的气体，在所述处理室的壁上形成含有14族元素的膜。


3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含有14族元素和氢的气体含有SiH4、Si2H6、Si3H8中的至少任一种。


4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含有14族元素和氢的气体含有SiH4、Si2H6、Si3H8中的至少任一种。


5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含有14族元素和氢的气体含有GeH4、Ge2H6、Ge3H8中的至少一种。


6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(b)中，供给含氧气体，将在所述处理室的壁上形成的所述含金属膜改性为金属氧化膜。


7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的压力比(c)中的所述处理室内的压力低，
(b)中供给的气体的流量比(c)中供给的气体的流量少。


8.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的压力比(c)中的所述处理室内的压力低，
(b)中供给的气体的流量比(c)中供给的气体的流量少。


9.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的压力比(c)中的所述处理室内的压力低，
(b)中供给的气体的流量比(c)中供给的气体的流量少。


10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
(b)中的所述处理室内的温度比(c)中的所述处理室内的温度高。


11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在(b)之后，进行(a)和(c)。


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【专利技术属性】
技术研发人员：小川有人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP