一种二维材料制备方法技术

本发明专利技术提供了一种二维材料制备方法，属于二维材料制备的技术领域，通过将基片载置在基片台上，将小片待制备二维材料固定到所述基片中心位置作为籽晶，将从位于基片中心正上方的气流管路处向下通入气态源从而使在籽晶表面均匀扩散，获得各个方向生长均匀的二维材料。使用本发明专利技术提供的二维材料制备方法可以可控、可重复地生长大面积直至晶圆级的二维材料。

【技术实现步骤摘要】
一种二维材料制备方法
本专利技术涉及二维材料制备领域，特别涉及一种二维材料制备方法。
技术介绍
半导体材料和器件应用的发展趋势是小型化，而这种小型化的极致则趋向单原子层的二维材料。目前，二维材料是国际上材料界研究的热点。二维材料具有原子级的厚度，多样的组分组成，性质的层数依赖性。以MoS2为代表的单层二维过渡金属硫族化物(TransitionMetalDichalcogenides,TMDs)，不同于石墨烯的半金属性质，其具有直接带隙，是一种极有希望成为下一代半导体材料的新材料。在现有技术中，MoS2等二维材料的制备是通过管式炉进行化学气相沉积(chemicalvapordeposition,CVD)来进行的。在专利公开号为CN109825817A、名称为“基于CVD制备二硫化钼的方法及在晶体场效应管的应用”的专利技术专利中公开了一种在管式炉内的两个石英舟上分别放置硫粉和MoO3粉，然后加热并通入氩气制备二硫化钼的技术方案。请参考说明书附图1，硫的放置在在管式炉石英管中左侧，而三氧化钼是放置在管式炉石英管中右侧。此时从管式炉一侧通入N2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维材料制备方法，其特征在于，将基片载置在基片台上，将小片待制备二维材料固定到所述基片中心位置作为籽晶，气态源由气流管路从上往下经过等离子体发生器进入处理室中，气流管路的下端口设置在基片正中心上方，使得气态源从基片中心向四周均匀扩展，通过控制所述气态源以第一流速条件和第一温度条件，使流场和温场沿所述基片表面水平分布，从而在基片上获得各个方向生长均匀的二维材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种二维材料制备方法，其特征在于，将基片载置在基片台上，将小片待制备二维材料固定到所述基片中心位置作为籽晶，气态源由气流管路从上往下经过等离子体发生器进入处理室中，气流管路的下端口设置在基片正中心上方，使得气态源从基片中心向四周均匀扩展，通过控制所述气态源以第一流速条件和第一温度条件，使流场和温场沿所述基片表面水平分布，从而在基片上获得各个方向生长均匀的二维材料。


2.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述第一流速条件为在距气流管路下端管口中心竖直距离1.5cm～2.0cm的区域内气体流速为0.04～4m/s；所述第一温度条件为距所述气流管路下端管口中心竖直距离1.5cm～2.0cm区域内的温度为0.7×103～1.5×103K。


3.如权利要求2所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述第一流速条件为在距气流管路下端管口中心竖直距离1.5～2.0cm的区域内气体流速为0.4～0.8m/s；所述第一温度条件为距所述气流管路下端管口竖直距离1.5～2.0cm的区域内的温度为0.75×103～0.9×103K。

【专利技术属性】
技术研发人员：王佩剑，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：浙江;33