步进驱动器控制电机抱闸驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种步进驱动器控制电机抱闸驱动电路，包括MCU电路、三极管驱动电路、光耦隔离电路和电机抱闸驱动电路，其中，MCU电路采用XMC4300控制芯片U1A；三极管驱动电路包括三极管Q1和电阻R1～R3；光耦隔离电路包括EL3H7光耦隔离芯片U1；抱闸驱动电路包括IRF7341功率芯片M1、电容C1、二极管D1和电阻R5～R6，IRF7341功率芯片M1内集成有2路并联设置的MOSFET。本申请提供的步进驱动器控制电机抱闸驱动电路可实现通过驱动器内部电路直接控制电机抱闸，可避免增加外部继电器以及接线复杂的问题；同时采用抱闸驱动电路通过将2路MOSFET并联，使驱动电路能够通过较大的电流，且采用的IRF7341功率芯片M1为低内阻MOSFET，工作中发热较小，可有效保证电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
步进驱动器控制电机抱闸驱动电路
本技术涉及电机驱动电路
，特别是涉及一种步进驱动器控制电机抱闸驱动电路。
技术介绍
目前市场上的步进驱动器控制电机抱闸，通常需要外接继电器来控制，在有些微型设备中会占用空间，而且接线较多，增加了故障点。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种无需外接继电器的步进驱动器控制电机抱闸驱动电路。为实现本技术的目的，本技术采用如下技术方案：一种步进驱动器控制电机抱闸驱动电路，包括MCU电路、三极管驱动电路、光耦隔离电路和电机抱闸驱动电路，所述MCU电路采用XMC4300控制芯片U1A；所述三极管驱动电路包括三极管Q1和电阻R1～R3；所述光耦隔离电路包括EL3H7光耦隔离芯片U1；所述抱闸驱动电路包括IRF7341功率芯片M1、电容C1、二极管D1和电阻R5～R6，所述IRF7341功率芯片M1内集成有2路并联设置的MOSFET，其中，所述XMC4300控制芯片U1A的信号输出端分别与电阻R1的一端、电阻R2的一端相连，所述电阻R1的另一端分别与电阻R3的一端、三极管Q1的基极相连，所述电阻R2的另一端、所述电阻R3的另一端和所述三极管Q1的发射极均接地；所述三极管Q1的集电极通过电阻R4与所述EL3H7光耦隔离芯片U1的一输入端相连，所述EL3H7光耦隔离芯片U1的另一输入端与3.3V电源端相连，所述EL3H7光耦隔离芯片U1的一输出端、所述二极管的阴极和所述IRF7341功率芯片M1的D1、D2端均与24V电源端相连；所述EL3H7光耦隔离芯片U1的另一输出端通过电阻R5分别与电阻R6的一端、电容C1的一端、IRF7341功率芯片M1的G1、G2端相连，所述电阻R6的另一端、所述电容C1的另一端和所述IRF7341功率芯片M1的S1、S2端均与OV电源端相连，所述IRF7341功率芯片M1的D1、D2端分别与所述二极管D1的阳极、电机相连。本申请提供的步进驱动器控制电机抱闸驱动电路可实现通过驱动器内部电路直接控制电机抱闸，可避免增加外部继电器以及接线复杂的问题；同时采用抱闸驱动电路通过将2路MOSFET并联，使驱动电路能够通过较大的电流，且采用的IRF7341功率芯片M1为低内阻MOSFET，工作中发热较小，可有效保证电路的稳定性。附图说明图1为一实施例中步进驱动器控制电机抱闸驱动电路的电路原理示意图；图2为图1中步进驱动器控制电机抱闸驱动电路内MCU电路的电路原理示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。参见图1和图2，本实施例提供了一种步进驱动器控制电机抱闸驱动电路，包括MCU电路、三极管驱动电路、光耦隔离电路和电机抱闸驱动电路，MCU电路采用XMC4300控制芯片U1A；三极管驱动电路包括三极管Q1和电阻R1～R3；光耦隔离电路包括EL3H7光耦隔离芯片U1；抱闸驱动电路包括IRF7341功率芯片M1、电容C1、二极管D1和电阻R5～R6，IRF7341功率芯片M1内集成有2路并联设置的MOSFET。其中，XMC4300控制芯片U1A的信号输出端分别与电阻R1的一端、电阻R2的一端相连，电阻R1的另一端分别与电阻R3的一端、三极管Q1的基极相连，电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和三极管Q1的发射极均接地；三极管Q1的集电极通过电阻R4与EL3H7光耦隔离芯片U1的一输入端相连，EL3H7光耦隔离芯片U1的另一输入端与3.3V电源端相连，EL3H7光耦隔离芯片U1的一输出端、二极管的阴极和IRF7341功率芯片M1的D1、D2端均与24V电源端相连；EL3H7光耦隔离芯片U1的另一输出端通过电阻R5分别与电阻R6的一端、电容C1的一端、IRF7341功率芯片M1的G1、G2端相连，电阻R6的另一端、电容C1的另一端和IRF7341功率芯片M1的S1、S2端均与OV电源端相连，IRF7341功率芯片M1的D1、D2端分别与二极管D1的阳极、电机相连。本实施提供的步进驱动器控制电机抱闸驱动电路的工作原理为：当XMC4300控制芯片U1A发出抱闸释放信号后，先通过三极管驱动电路，使光耦隔离芯片U1接通，然后光耦隔离芯片U1输出信号到IRF7341功率芯片M1的G1端和G2端，IRF7341功率芯片M1内部有两路N沟道MOSFET，每一路允许通过最大7A的电流，IRF7341功率芯片M1的G1端和G2端分别为两个MOSFET的门极，当接收到信号后，使芯片内部的2路MOS管同时导通，此时电机抱闸得电，抱闸释放；当控制信号变为低电平后，光耦隔离芯片U1断开，IRF7341功率芯片M1断开，使电机抱闸断电，抱闸锁死，二极管D1用于释放电机抱闸中存储的电能。本实施例提供的步进驱动器控制电机抱闸驱动电路可实现通过驱动器内部电路直接控制电机抱闸，可避免增加外部继电器以及接线复杂的问题；同时采用抱闸驱动电路通过将2路MOSFET并联，使驱动电路能够通过较大的电流，且采用的IRF7341功率芯片M1为低内阻MOSFET，工作中发热较小，可有效保证电路的稳定性。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种步进驱动器控制电机抱闸驱动电路，其特征在于，包括MCU电路、三极管驱动电路、光耦隔离电路和电机抱闸驱动电路，所述MCU电路采用XMC4300控制芯片U1A；所述三极管驱动电路包括三极管Q1和电阻R1～R3；所述光耦隔离电路包括EL3H7光耦隔离芯片U1；所述抱闸驱动电路包括IRF7341功率芯片M1、电容C1、二极管D1和电阻R5～R6，所述IRF7341功率芯片M1内集成有2路并联设置的MOSFET，其中，/n所述XMC4300控制芯片U1A的信号输出端分别与电阻R1的一端、电阻R2的一端相连，所述电阻R1的另一端分别与电阻R3的一端、三极管Q1的基极相连，所述电阻R2的另一端、所述电阻R3的另一端和所述三极管Q1的发射极均接地；所述三极管Q1的集电极通过电阻R4与所述EL3H7光耦隔离芯片U1的一输入端相连，所述EL3H7光耦隔离芯片U1的另一输入端与3.3V电源端相连，所述EL3H7光耦隔离芯片U1的一输出端、所述二极管的阴极和所述IRF7341功率芯片M1的D1、D2端均与24V电源端相连；所述EL3H7光耦隔离芯片U1的另一输出端通过电阻R5分别与电阻R6的一端、电容C1的一端、IRF7341功率芯片M1的G1、G2端相连，所述电阻R6的另一端、所述电容C1的另一端和所述IRF7341功率芯片M1的S1、S2端均与OV电源端相连，所述IRF7341功率芯片M1的D1、D2端分别与所述二极管D1的阳极、电机相连。/n...

【技术特征摘要】
1.一种步进驱动器控制电机抱闸驱动电路，其特征在于，包括MCU电路、三极管驱动电路、光耦隔离电路和电机抱闸驱动电路，所述MCU电路采用XMC4300控制芯片U1A；所述三极管驱动电路包括三极管Q1和电阻R1～R3；所述光耦隔离电路包括EL3H7光耦隔离芯片U1；所述抱闸驱动电路包括IRF7341功率芯片M1、电容C1、二极管D1和电阻R5～R6，所述IRF7341功率芯片M1内集成有2路并联设置的MOSFET，其中，
所述XMC4300控制芯片U1A的信号输出端分别与电阻R1的一端、电阻R2的一端相连，所述电阻R1的另一端分别与电阻R3的一端、三极管Q1的基极相连，所述电阻R2的另一端、所述电阻R3的另一端和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东峰，
申请(专利权)人：深圳市新力川电气有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44