【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光显示设备和用于制造有机发光显示设备的方法
本公开涉及一种有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法，更具体地，涉及一种有机发光显示设备和经由简化的工艺制造该有机发光显示设备以具有减少的缺陷数量的方法。
技术介绍
有机发光显示设备包括包含空穴注入电极、电子注入电极和位于其间的有机发射层的有机发光元件。有机发光显示设备是一种其中当激子从激发态落到基态时发射光的自发光显示设备，激子是在当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中彼此结合时产生的。虽然精细金属掩模(FMM)可以用作用于在基底上沉积有机发射层的技术，但是由于金属掩模的阴影效应，在制造高分辨率的有机发光显示设备中存在限制。因此，需要替代的沉积技术。
技术实现思路
技术问题提供了一种有机发光显示设备和经由简化的工艺制造有机发光显示设备以具有减少的缺陷数量的方法。然而，这样的技术问题是示例，公开不限于此。技术方案根据本公开的方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括以下步骤：在基底上形成像素...
【技术保护点】
1.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：/n在基底上形成像素电极和像素限定层，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘；/n在所述像素电极和所述像素限定层上顺序地形成剥离层和光致抗蚀剂；/n使所述剥离层和所述光致抗蚀剂图案化以形成暴露所述像素电极的顶表面和所述像素限定层的一部分的开口；/n在所述开口中且在所述光致抗蚀剂上顺序地形成中间层和对电极，所述中间层包括发射层；/n形成钝化层以完全地覆盖所述对电极的顶表面和端部；以及/n去除在所述开口外部剩余的所述剥离层和所述光致抗蚀剂。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181217 KR 10-2018-01633071.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成像素电极和像素限定层，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘；
在所述像素电极和所述像素限定层上顺序地形成剥离层和光致抗蚀剂；
使所述剥离层和所述光致抗蚀剂图案化以形成暴露所述像素电极的顶表面和所述像素限定层的一部分的开口；
在所述开口中且在所述光致抗蚀剂上顺序地形成中间层和对电极，所述中间层包括发射层；
形成钝化层以完全地覆盖所述对电极的顶表面和端部；以及
去除在所述开口外部剩余的所述剥离层和所述光致抗蚀剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述光致抗蚀剂图案化的步骤包括光刻工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剥离层包括含氟聚合物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过使用包括氟的第一溶剂蚀刻所述剥离层来形成所述开口。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述中间层的步骤包括第一沉积工艺，
形成所述对电极的步骤包括第二沉积工艺，并且
形成所述钝化层的步骤包括第三沉积工艺，以使针对所述钝化层的台阶覆盖比针对所述中间层和所述对电极的台阶覆盖大。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一沉积工艺包括物理气相沉积工艺。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二沉积工艺包括物理气相沉积工艺。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三沉积工艺包括化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，在同一室中执行所述第一沉积工艺至所述第三沉积工艺。
10.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第三沉积工艺之后，在与在其中执行所述第三沉积工艺的室相同的室或与在其中执行所述第三沉积工艺的室不同的室内执行干蚀刻。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过所述干蚀刻暴露所述像素限定层的顶表面。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在所述像素限定层上形成辅助电极，
其中，所述对电极被形成为接触所述辅助电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述钝化层的步骤之后，在与在其中形成所述钝化层的室相同的室或与在其中形成所述钝化层的室不同的室中执行干蚀刻，并且
通过所述干蚀刻暴露所述辅助电极的顶表面。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用包括氟的第二溶剂去除剩余的所述剥离层。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，在室中真空沉积所述中间层、所述对电极和所述钝化层，并且
在所述室外部在大气中执行去除所述剥离层的步骤。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在去除所述剥离层的湿法工艺中暴露所述钝化层，而所述钝化层完全地覆盖所述对电极的顶表面和端部。
17.一种制造有机发光显示设备的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁世勳，奇圣勳，金在植，金载益，李娟和，李濬九，张喆旼，郑檭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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