一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法技术

本发明专利技术涉及一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法，包括一下步骤：在所述基底的表面涂膜光刻胶；将具有特定图形结构的纳米压印模板以一定的压力压在所述光刻胶上，经热固化或紫外固化后，所述光刻胶上形成与所述模板图案对应微结构；去除所述基底上的残余的光刻胶，使所述基底上留有与阳极像素图形互补的微结构；在所述基底上通过蒸镀工艺形成阳极层。有益效果是：使用纳米压印技术制备阳极像素阵列，采用预制贴合的方式一次性完成彩色过滤层和玻璃盖片工艺，在硅基OLED产线上彻底取消了设备投入较大的光刻工艺。本发明专利技术提出的技术方的制备工艺更加简单、生产成本低廉，能有效提高良品率及产能。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法。
技术介绍
硅基OLED微型显示器，是在半导体CMOS驱动电路上制造的OLED显示器，不但具备OLED显示器的优点，同时还具备半导体芯片微型化和高度集成的优点，其尺寸一般在1英寸之下，可实现>5000PPI的超高像素密度，相比普通OLED或LCD显示器(<1000PPI)，显示画面更加细腻逼真；此外，硅基OLED微显的显示开口率远高于普通OLED显示器，近眼显示效果更好，不容易察觉到像素颗粒感。因此硅基OLED微型显示器特别适合应用于近眼显示，可满足从军事、工业到数码消费领域的各种需求，具有广阔的市场前景。但是在现有硅基OLED微型显示器制备工艺中，阳极像素采用光刻工艺制备，不但需要投入大量的资金购买光刻工艺的相关设备，而且光刻工艺制程复杂，不利于提高良品率。纳米压印是一种全新图形转移技术，可替代传统光刻技术用于加工微结构，把纳米图形从模板“复制”到基片上。由于不需要曝光显影工艺，因此具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法，其特征在于，包括一下步骤：/nS1提供一已制备好CMOS驱动电路的基底；/nS2在所述基底的表面涂膜光刻胶；/nS3将具有特定图形结构的纳米压印模板以一定的压力压在所述光刻胶上，经热固化或紫外固化后，所述光刻胶上形成与所述模板图案对应微结构；/nS4去除所述基底上的残余的光刻胶，使所述基底上留有与阳极像素图形互补的微结构；/nS5在所述基底上通过蒸镀工艺形成阳极层；/nS6在所述阳极层上依次蒸镀多个OLED有机功能层组成的白光OLED结构层，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；/nS7在所述OLED结构层上形成半透金属明...

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法，其特征在于，包括一下步骤：
S1提供一已制备好CMOS驱动电路的基底；
S2在所述基底的表面涂膜光刻胶；
S3将具有特定图形结构的纳米压印模板以一定的压力压在所述光刻胶上，经热固化或紫外固化后，所述光刻胶上形成与所述模板图案对应微结构；
S4去除所述基底上的残余的光刻胶，使所述基底上留有与阳极像素图形互补的微结构；
S5在所述基底上通过蒸镀工艺形成阳极层；
S6在所述阳极层上依次蒸镀多个OLED有机功能层组成的白光OLED结构层，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；
S7在所述OLED结构层上形成半透金属明阴极层；
S8在所述阴极层上制备薄膜密封层；
S9在所述薄膜密封层上贴合玻璃盖板。


2.根据权利要求1所述的一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法，其特征在于，步骤S2中的所述光刻胶的材料为德国MicroResist公司的IPNR-T2000纳米压印光刻胶，厚度为300nm。


3.根据权利要求1所述的一种纳米压印制备硅基OLED微型显示器的方法，其特征在于，步骤S5中所述阳极层的材料为铝(Al)材质的金属材料，或者氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)材质的氧化物中的任意一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：茆胜，
申请(专利权)人：睿馨珠海投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44