【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装
本专利技术涉及一种半导体封装。
技术介绍
半导体封装被安装在基板上并被制造成各种类型的半导体装置。这种半导体封装包括半导体芯片和形成在半导体芯片上的模制层。执行预定功能的大量电路元件形成在半导体芯片中。模制层形成在半导体芯片的上表面上以保护半导体芯片。模制层在高压下形成在半导体芯片的上表面上，因此，在形成模制层的工艺中对半导体芯片施加高压。然而，当在制造工艺中向半导体芯片施加高压时，高压被传递到形成在半导体芯片中的电路元件，因此电路元件的电特性可能改变。更具体地，当向电路元件施加高压时，由于压电现象的出现，在电路元件中可能出现信号错误。
技术实现思路
技术问题本专利技术旨在提供一种半导体封装，该半导体封装能够减少在形成模制层的工艺中在半导体芯片的电路元件中发生压电现象。根据本专利技术的实施例要解决的问题不限于上述技术问题，并且本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解未提及的其他技术问题。技术方案本专利技术的实施例提供一种半导体封装，...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：/n支撑部；/n半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述支撑部上，并且包括多个信号焊盘；/n缓冲层，所述缓冲层设置在所述半导体芯片上；/n粘合层，所述粘合层设置在所述缓冲层上；/n减压层，所述减压层设置在所述粘合层上；以及/n模制层，所述模制层设置在所述减压层上。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181220 KR 10-2018-01657861.一种半导体封装，该半导体封装包括：
支撑部；
半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述支撑部上，并且包括多个信号焊盘；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述半导体芯片上；
粘合层，所述粘合层设置在所述缓冲层上；
减压层，所述减压层设置在所述粘合层上；以及
模制层，所述模制层设置在所述减压层上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述缓冲层包括在与所述多个信号焊盘中的每一个相对应的区域中的第一开口区域，使得所述多个信号焊盘的上表面暴露。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述缓冲层的厚度小于所述多个信号焊盘中的每一个的厚度，并且所述多个信号焊盘中的每一个的上表面的高度大于所述缓冲层的上表面的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述缓冲层的一端与所述半导体芯片的一端一致，并且所述缓冲层的另一端与所述半导体芯片的另一端一致。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述粘合层和所述减压层不与所述多个信号焊盘交叠，并且
所述粘合层和所述减压层中的每一个的一端不与所述半导体芯片的一端一致，并且所述粘合层和所述减压层中的每一个的另一端不与所述半导体芯片的另一端一致。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述减压层的厚度为所述半导体芯片的厚度的一半或更大，并且小于或等于所述半导体芯片的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述减压层的热膨胀系数与所述半导体芯片的热膨胀系数之间的偏差在±10以内。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述减压层的厚度在200μm至500μm的范围内，并且所述减压层的热膨胀系数在2.6ppm/℃至3.0ppm/℃的范围内。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述半导体芯片包括第一电路区域和第二电路区域，并且
所述缓冲层包括在与所述第一电路区域相对应的区域中的第二开口区域。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，在所述第二开口区域中设置孔。
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第二开口区域由所述粘合层填充。
12.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，在所述第一电路区域中设置带隙参考电路或放大器电路。
13.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述粘合层的厚度大于所述缓冲层的厚度。
14.一种半导体封装，所述半导体封装包括：
支撑部；
第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片设置在所述支撑部上，并且各自包括多个信号焊盘；
多个电极焊盘，所述多个电极焊盘被设置为在所述支撑部的外部与所述支撑部间隔开；
导线，所述导线包括将所述第一半导体芯片的信号焊盘中的一个与所述第二半导体芯片的信号焊盘中的一个连接的第一导线、将所述第一半导体芯片的另一信号焊盘与所述电极焊盘中的一个连接的第二导线、以及将所述第二半导体芯片的另一信号焊盘与另一电极焊盘连接的第三导线；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一半导体芯片上；
粘合层，所述粘合层设置在所述缓冲层上；
减压层，所述减压层设置在所述粘合层上；以及...
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