一种MEMS结构制造技术

技术编号:29498081 阅读:24 留言:0更新日期:2021-07-30 19:11
本申请公开了一种MEMS结构,包括:衬底,具有空腔;压电复合振动层,形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔,其中,所述压电复合振动层具有位于衬底上方的第一区域和位于所述空腔上方的第二区域,在所述第一区域内凹槽从所述压电复合振动层的上表面延伸至所述压电复合振动层的下表面。本申请通过设置凹槽环绕第二区域,从而提高了MEMS结构的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS结构
本申请涉及半导体
,具体来说,涉及一种MEMS(MicroelectroMechanicalSystems的简写,即微机电系统)结构。
技术介绍
MEMS传声器(麦克风)主要包括电容式和压电式两种。MEMS压电传声器是利用微电子机械系统技术和压电薄膜技术制备的传声器,由于采用半导体平面工艺和体硅加工等技术,所以其尺寸小、体积小、一致性好。同时相对于电容传声器还有不需要偏置电压,工作温度范围大,防尘、防水等优点,但其灵敏度比较低,制约着MEMS压电传声器的发展。针对相关技术中如何提高压电式MEMS结构的灵敏度问题,目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中MEMS结构的灵敏度较低的问题,本申请提出一种MEMS结构,能够提高灵敏度。本申请的技术方案是这样实现的:根据本申请的一个方面,提供了一种MEMS结构,包括:衬底,具有空腔;压电复合振动层,形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔,其中,所述压电复合振动层具有位于衬底上方的第一区域和位于所述空腔上方的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS结构,其特征在于,包括:/n衬底,具有空腔;/n压电复合振动层,形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔,其中,所述压电复合振动层具有位于衬底上方的第一区域和位于所述空腔上方的第二区域,在所述第一区域内凹槽从所述压电复合振动层的上表面延伸至所述压电复合振动层的下表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS结构,其特征在于,包括:
衬底,具有空腔;
压电复合振动层,形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔,其中,所述压电复合振动层具有位于衬底上方的第一区域和位于所述空腔上方的第二区域,在所述第一区域内凹槽从所述压电复合振动层的上表面延伸至所述压电复合振动层的下表面。


2.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,从所述MEMS结构的俯视角度看,所述凹槽连续地周向环绕所述第二区域,并且所述凹槽包括多个周向均匀排列的折线槽或波浪线槽。


3.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,从所述MEMS结构的俯视角度看,所述凹槽包括多个在圆周方向上均匀排列...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩娇刘端
申请(专利权)人:安徽奥飞声学科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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