一种零等待周期SRAM的控制方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种零等待周期SRAM的控制方法及装置，在基本的读、写、空闲状态以外，增加了三个状态，在保留与现有技术相同的指令执行效果的前提下，通过对SRAM控制器进行先读后写和对写操作进行锁存的控制，避免了在写后读操作需多等待至少一个周期的问题。从而通过实施本发明专利技术能够大大提高指令的执行效率，有效提升SOC系统运行程序的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种零等待周期SRAM的控制方法及装置
本专利技术涉及存储控制
，尤其是涉及一种零等待周期SRAM的控制方法及装置。
技术介绍
静态随机存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)是SOC系统中常用的一种存储器。SRAM里的静态主要是指只要不掉电，存储器里的数据就能一直保持，掉电以后，存储器里的数据将会丢失。SRAM的存取速度快，一般多用于存储CPU一些临时的数据，使得CPU在执行运算时速度更快捷方便；SRAM也可用于高速CPU与低速存储之间的数据或指令缓存，可加快CPU读取低速存储器中数据的效率。所以SRAM的存取速度决定了SOC系统的性能，CPU的执行效率，而SRAM控制器的功能便决定了SRAM内存的存取速度。在AHB协议中，数据总是比其对应的地址和控制信号等延后一个时钟。在主机对SRAM内存进行写后读操作时，SRAM控制器需要先对写操作的地址和一些控制信号进行锁存，等待总线上写入的数据准备好以后，才把数据真正写入SRAM内存。根据AHB总线上的流水线操作，跟在写操作后面的读操作需要多等待一个时钟周期，等待SRAM控制器把写入数据真正写入到SRAM内存中后才能执行。所读数据在下一个周期被总线读取。上述写后读操作将会多花至少一个周期在等待数据写入过程中，从而影响了SRAM读写速率，也大大降低了CPU指令执行效率。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种零等待周期SRAM的控制方法及装置，以解决对SRAM存储器进行写后读操作时需要等待至少一个时钟周期的问题，从而能够大大提高指令的执行效率，提升了SOC系统运行程序的能力。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种零等待周期SRAM的控制方法，包括：当SRAM控制器处于空闲状态下，若满足第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若满足第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；其中，所述第一条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为无效；所述第二条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为有效；当所述SRAM控制器处于读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；当所述SRAM控制器处于写状态下，若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器维持在写状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；其中，在写后读状态下，所述SRAM控制器优先执行当前读操作并将之前写操作的数据进行锁存；当所述SRAM控制器处于写后读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后空闲状态；其中，在写后写状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；在写后空闲状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；当所述SRAM控制器处于写后写状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；当所述SRAM控制器处于写后空闲状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态。进一步地，当AHB总线没有选中SRAM地址区时，默认为SRAM控制器处于空闲状态。进一步地，所述写操作的数据包括写操作地址、写数据和数据传输宽度。为了解决相同的技术问题，本专利技术还提供了一种零等待周期SRAM的控制装置，包括：空闲状态控制模块，用于当SRAM控制器处于空闲状态下，若满足第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若满足第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；其中，所述第一条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为无效；所述第二条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为有效；读状态控制模块，用于当所述SRAM控制器处于读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；写状态控制模块，用于当所述SRAM控制器处于写状态下，若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器维持在写状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；其中，在写后读状态下，所述SRAM控制器优先执行当前读操作并将之前写操作的数据进行锁存；写后读状态控制模块，用于当所述SRAM控制器处于写后读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后空闲状态；其中，在写后写状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；在写后空闲状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；写后写状态控制模块，用于当所述SRAM控制器处于写后写状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；写后空闲状态控制模块，用于当所述SRAM控制器处于写后空闲状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态。进一步地，当AHB总线没有选中SRAM地址区时，默认为SRAM控制器处于空闲状态。进一步地，所述写操作的数据包括写操作地址、写数据和数据传输宽度。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术实施例提供了一种零等待周期SRAM的控制方法及装置，在基本的读、写、空闲状态以外，增加了三个状态，在保留与现有技术相同的指令执行效果的前提下，通过对SRAM控制器进行先读后写和对写操作进行锁存的控制，避免了在写后读操作需多等待至少一个周期的问题。从而通过实施本专利技术能够大大提高指令的执行效率，有效提升SOC系统运行程序的能力。附图说明图1是本专利技术一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种零等待周期SRAM的控制方法，其特征在于，包括：/n当SRAM控制器处于空闲状态下，若满足第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若满足第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；其中，所述第一条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为无效；所述第二条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为有效；/n当所述SRAM控制器处于读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；/n当所述SRAM控制器处于写状态下，若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器维持在写状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；其中，在写后读状态下，所述SRAM控制器优先执行当前读操作并将之前写操作的数据进行锁存；/n当所述SRAM控制器处于写后读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后空闲状态；其中，在写后写状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；在写后空闲状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；/n当所述SRAM控制器处于写后写状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；/n当所述SRAM控制器处于写后空闲状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态。/n...

【技术特征摘要】
1.一种零等待周期SRAM的控制方法，其特征在于，包括：
当SRAM控制器处于空闲状态下，若满足第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若满足第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；其中，所述第一条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为无效；所述第二条件为当AHB总线选中SRAM地址区，总线空闲并且AHB总线写使能信号为有效；
当所述SRAM控制器处于读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；
当所述SRAM控制器处于写状态下，若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器维持在写状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；其中，在写后读状态下，所述SRAM控制器优先执行当前读操作并将之前写操作的数据进行锁存；
当所述SRAM控制器处于写后读状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器维持在写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写后空闲状态；其中，在写后写状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；在写后空闲状态下，所述SRAM控制器将之前锁存的写操作的数据写入SRAM内存；
当所述SRAM控制器处于写后写状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入写后读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态；
当所述SRAM控制器处于写后空闲状态下，若满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入写状态；若满足所述第一条件则控制所述SRAM控制器进入读状态；若不满足所述第一条件且不满足所述第二条件则控制所述SRAM控制器进入空闲状态。


2.根据权利要求1所述的零等待周期SRAM的控制方法，其特征在于，当AHB总线没有选中SRAM地址区时，默认为SRAM控制器处于空闲状态。


3.根据权利要求1所述的零等待周期SRAM的控制方法，其特征在于，所述写操作的数据包括写操作地址、写数据和数据传输宽度。


4.一种零等待周期SRAM的控制装置，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锐，陆思茗，李建军，王亚波，莫军，
申请(专利权)人：广芯微电子广州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44