一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路制造技术

技术编号:29462146 阅读:11 留言:0更新日期:2021-07-27 17:33
本申请提供一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,功耗低,并且成本低;包括:接线端子P1、P型MOS管Q2、电容C2、电阻R1、电容C1、N型MOS管Q3和P型MOS管Q4,所述接线端子P1的输出端与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q2与电容C2连接,电阻R1和电容C1并联,并且一端与电容C2连接另一端与N型MOS管Q3连接,N型MOS管Q3还与电容C2和P型MOS管Q4连接,所述接线端子P1用来监测水位,当有积水时,接线端子P1的两个触点导通,P型MOS管Q2的栅极低电平,P型MOS管Q2导通,瞬间的电流通过电容C2给电容C1充电,使得N型MOS管Q3的栅极高电平,N型MOS管Q3的漏极与源极导通,P型MOS管Q4栅极被下拉到地,此时P型MOS管Q4的漏极与源极导通,INT脚输出一个高电平脉冲。

【技术实现步骤摘要】
一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路
本技术涉及电学领域,更具体地,涉及一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路。
技术介绍
水位感应器的应用非常的广泛,例如水位站、热水器、生产设备等任何需要监测水位的地方。水位感应器的电路,当有积水的时候,需要发出高电平脉冲,当积水褪去的时候,也需要将信号发出。但是现有的水位感应器的电路,功耗大,影响了水位感应器的推广应用。有鉴于此,本技术提供一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,功耗低,并且成本低。
技术实现思路
本技术的目的在于,提供一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,功耗低,并且成本低。传统的水位感应器的电路,当有积水时,水位感应器的电路持续输出高电平脉冲,因此功耗大。而本申请的水位感应器的低功耗上升沿触发电路,当有积水的时候,只输出一次高电平脉冲,当积水褪去的时候也能监测到,因此功耗低;并且仅采用电容、电阻和MOS管实现,成本低。具体的,当有积水时,接线端子P1的两个触点导通,P型MOS管Q2导通,N型MOS管Q3的漏极与源极导通,P型MOS管Q4的漏极与源极导通,INT脚输出一个高电平脉冲;并且P型MOS管Q1与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q1用于检测接线端子P1是否保持连接或者断开的状态,从而检测是否有积水。本申请人在此基础上完成本申请。一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,包括:接线端子P1、P型MOS管Q2、电容C2、电阻R1、电容C1、N型MOS管Q3和P型MOS管Q4,所述接线端子P1的输出端与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q2与电容C2连接,电阻R1和电容C1并联,并且一端与电容C2连接另一端与N型MOS管Q3连接,N型MOS管Q3还与电容C2和P型MOS管Q4连接,所述接线端子P1用来监测水位,当有积水时,接线端子P1的两个触点导通,P型MOS管Q2的栅极低电平,P型MOS管Q2导通,瞬间的电流通过电容C2给电容C1充电,使得N型MOS管Q3的栅极高电平,N型MOS管Q3的漏极与源极导通,P型MOS管Q4栅极被下拉到地,此时P型MOS管Q4的漏极与源极导通,INT脚输出一个高电平脉冲。在一些实施方式中,所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括P型MOS管Q1,P型MOS管Q1与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q1用于检测接线端子P1是否保持连接或者断开的状态,从而检测是否有积水。在一些实施方式中,电平持续时间可以通调整电阻R1与电容C1的阻值和容值来调解充电容量和放电速率,用来保证P型MOS管Q4的开启时长,可提供开启电压。进一步的,电阻R1的右端还接地。在一些实施方式中,接线端子P1的2脚接地,接线端子P1的1脚与P型MOS管Q2连接,电容C2起到隔直流的作用。在一些实施方式中,所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括电阻R3,电阻R3与P型MOS管Q2并联,电阻R3是上拉电阻,用来将P型MOS管Q2的栅极钳位在高电平,保持截至状态。在一些实施方式中,所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括电阻R4,电阻R4与P型MOS管Q4并联,电阻R4是上拉电阻,用来P型MOS管Q4的栅极钳位在高电平,保持截至状态。在一些实施方式中,所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括电阻R2,电阻R2与P型MOS管Q2和电容C2连接,并且电阻R2的一端接地,当接线端子P1断开后,电阻R2将电容C1左极板上的电荷放掉。在一些实施方式中,所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括二极管D1,二极管D1的输入端与P型MOS管Q4的输出端连接,二极管D1的输出端连接INT脚,二极管D1起到单向导通电流的作用。附图说明图1为本申请的水位感应器的低功耗上升沿触发电路的电路图。如下将结合具体实施案例对附图进行具体说明。具体实施方式描述以下实施例以辅助对本申请的理解,实施例不是也不应当以任何方式解释为限制本申请的保护范围。在以下描述中,本领域的技术人员将认识到,在本论述的全文中,组件可描述为单独的功能单元(可包括子单元),但是本领域的技术人员将认识到,各种组件或其部分可划分成单独组件,或者可整合在一起(包括整合在单个的系统或组件内)。同时,组件或系统之间的连接并不旨在限于直接连接,相反,在这些组件之间的数据可由中间组件修改、重格式化、或以其它方式改变。另外,可使用另外或更少的连接。还应注意,术语“联接”、“连接”、或“输入”应理解为包括直接连接、通过一个或多个中间设备来进行的间接连接、和无线连接。实施例1:一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,如图1所示,包括:接线端子P1、P型MOS管Q2、电容C2、电阻R1、电容C1、N型MOS管Q3和P型MOS管Q4,所述接线端子P1的输出端与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q2与电容C2连接,电阻R1和电容C1并联,并且一端与电容C2连接另一端与N型MOS管Q3连接,N型MOS管Q3还与电容C2和P型MOS管Q4连接,所述接线端子P1用来监测水位,当有积水时,接线端子P1的两个触点导通,P型MOS管Q2的栅极低电平,P型MOS管Q2导通,瞬间的电流通过电容C2给电容C1充电,使得N型MOS管Q3的栅极高电平,N型MOS管Q3的漏极与源极导通,P型MOS管Q4栅极被下拉到地,此时P型MOS管Q4的漏极与源极导通,INT脚输出一个高电平脉冲。所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括P型MOS管Q1,P型MOS管Q1与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q1用于检测接线端子P1是否保持连接或者断开的状态,从而检测是否有积水。电平持续时间可以通调整电阻R1与电容C1的阻值和容值来调解充电容量和放电速率,用来保证P型MOS管Q4的开启时长,可提供开启电压。电阻R1的右端还接地。接线端子P1的2脚接地,接线端子P1的1脚与P型MOS管Q2连接,电容C2起到隔直流的作用。所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括电阻R3,电阻R3与P型MOS管Q2并联,电阻R3是上拉电阻,用来将P型MOS管Q2的栅极钳位在高电平,保持截至状态。所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括电阻R4,电阻R4与P型MOS管Q4并联,电阻R4是上拉电阻,用来P型MOS管Q4的栅极钳位在高电平,保持截至状态。所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括电阻R2,电阻R2与P型MOS管Q2和电容C2连接,并且电阻R2的一端接地,当接线端子P1断开后,电阻R2将电容C1左极板上的电荷放掉。所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括二极管D1,二极管D1的输入端与P型MOS管Q4的输出端连接,二极管D1的输出端连接INT脚,二极管D1起到单向导通电流的作用。尽管本申请已公开了多个方面和实施方式,但是其它方面和实施方式对本领域技术人员而言将是显而易见的,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。本申请公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,其特征在于,包括:接线端子P1、P型MOS管Q2、电容C2、电阻R1、电容C1、N型MOS管Q3和P型MOS管Q4,所述接线端子P1的输出端与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q2与电容C2连接,电阻R1和电容C1并联,并且一端与电容C2连接另一端与N型MOS管Q3连接,N型MOS管Q3还与电容C2和P型MOS管Q4连接,所述接线端子P1用来监测水位,当有积水时,接线端子P1的两个触点导通,P型MOS管Q2的栅极低电平,P型MOS管Q2导通,瞬间的电流通过电容C2给电容C1充电,使得N型MOS管Q3的栅极高电平,N型MOS管Q3的漏极与源极导通,P型MOS管Q4栅极被下拉到地,此时P型MOS管Q4的漏极与源极导通,INT脚输出一个高电平脉冲。/n

【技术特征摘要】
1.一种水位感应器的低功耗上升沿触发电路,其特征在于,包括:接线端子P1、P型MOS管Q2、电容C2、电阻R1、电容C1、N型MOS管Q3和P型MOS管Q4,所述接线端子P1的输出端与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q2与电容C2连接,电阻R1和电容C1并联,并且一端与电容C2连接另一端与N型MOS管Q3连接,N型MOS管Q3还与电容C2和P型MOS管Q4连接,所述接线端子P1用来监测水位,当有积水时,接线端子P1的两个触点导通,P型MOS管Q2的栅极低电平,P型MOS管Q2导通,瞬间的电流通过电容C2给电容C1充电,使得N型MOS管Q3的栅极高电平,N型MOS管Q3的漏极与源极导通,P型MOS管Q4栅极被下拉到地,此时P型MOS管Q4的漏极与源极导通,INT脚输出一个高电平脉冲。


2.如权利要求1所述的水位感应器的低功耗上升沿触发电路,其特征在于,所述水位感应器的低功耗上升沿触发电路,还包括P型MOS管Q1,P型MOS管Q1与P型MOS管Q2连接,P型MOS管Q1用于检测接线端子P1是否保持连接或者断开的状态,从而检测是否有积水。


3.如权利要求1所述的水位感应器的低功耗上升沿触发电路,其特征在于,电平持续时间可以通调整电阻R1与电容C1的阻值和容值来调解充电容量和放电速率,用来保证P型MOS管Q4的开启时长,可提供开启电压。

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【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏江冠华孙波
申请(专利权)人:苏州精源创智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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