【技术实现步骤摘要】
一种硅片曝光结构
本技术属于半导体制造领域，具体地，涉及一种硅片曝光结构。
技术介绍
半导体芯片制造过程中，双面光刻工艺中，以放置式曝光设备为例，在正胶产品曝光过程中极容易产生图形漂移现象，即硅片在曝光过程中与下层光刻版产生相对位移，因此导致图形对准产生偏差，主要引起的原因是在曝光过程中，硅片与光刻版接触面，正性光刻胶由光解反应产生的N2引起的表面压力不均以及硅片翘曲引起的间隙不稳定，都会对此过程的质量控制增加难度。目前对于双面曝光工艺条件及设备没有更加合适的代替方法，既保证双面图形的对准精度，同时又保证曝光间隙稳定，因此给大批量双面光刻工艺生产上造成了困难。因此基于上述现有技术的缺陷，亟需一种硅片曝光结构，能够保证硅片在曝光过程中不会与光刻版之间产生相对位移。
技术实现思路
为克服上述现有技术的不足，本技术提供了一种硅片曝光结构，使得硅片与光刻版之间无法在曝光过程中产生相对位移。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种硅片曝光结构，所述结构包括定位组件、曝光组件，所述定位组件包...
【技术保护点】
1.一种硅片曝光结构，其特征在于，所述结构包括定位组件、曝光组件，所述定位组件包括定位条组、紧固螺丝组、定位板，所述曝光组件包括蓝膜、上层光刻版、下层光刻版、硅片，所述硅片位于下层光刻版的上表面，且下层光刻版对应硅片四边的位置粘贴有一层蓝膜，所述上层光刻版位于硅片的正上方，并与下层光刻版相对应，所述定位条组包括四个定位条，所述每个定位条的两端各设有一个长条孔，所述紧固螺丝组包括八个紧固螺丝，所述四个定位条分别位于下层光刻版四边侧，并通过紧固螺丝穿过长条孔拧紧固定到定位板上，所述定位板位于下层光刻版的底部。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅片曝光结构，其特征在于，所述结构包括定位组件、曝光组件，所述定位组件包括定位条组、紧固螺丝组、定位板，所述曝光组件包括蓝膜、上层光刻版、下层光刻版、硅片，所述硅片位于下层光刻版的上表面，且下层光刻版对应硅片四边的位置粘贴有一层蓝膜，所述上层光刻版位于硅片的正上方，并与下层光刻版相对应，所述定位条组包括四个定位条，所述每个定位条的两端各设有一个长条孔，所述紧固螺丝组包括八个紧固螺丝，所述四...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵凯，
申请(专利权)人：吉林瑞能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：吉林;22
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