【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是一种腐蚀硅片上指定位置的装置。
技术介绍
1、半导体芯片制造过程中，需要随时对硅片的各个制造环节进行监控，即在线测试制造过程中的各项参数。有些时候需要对已经被覆盖上薄膜的位置进行测量，但现有设备无法直接测试薄膜下材料的性质，因此需要去除薄膜后再测试薄膜下硅片的参数。
2、对于传统工艺，去除硅片上薄膜的方法是通过整片硅片腐蚀，再测量，测量后重新生长薄膜的方法，但这种方法对于有些情况不适用；还有测量硅片参数的方法是等到后续工序，硅片上的薄膜已经去除后测试，但这种方法需要等待硅片走到所需要的步骤，需要时间，这样会影响测试的时效性；还有的方式是在硅片上增加测试点，但这种方法需要重新设计光刻版，且占用硅片的测试位置。
技术实现思路
1、本技术技术为了克服上述现有技术存在的问题，提出了一种可以对硅片上指定位置腐蚀的方法，即只对硅片上需要测量特征参数的位置进行腐蚀，这种腐蚀只对硅片上较小的固定点进行腐蚀，并不需要对整片硅片进行腐蚀，来达到对薄膜下的硅片参数的测试。这样就减少了去除全部薄膜后所需要的流片时间，以及对整片硅片去除薄膜存在的潜在风险。
2、为达到以上目的，提供以下技术方案：
3、一种腐蚀硅片上指定位置的装置，与桌面配合使用，包括：硅片托盘，悬臂系统，流量控制系统和化学试剂供给托盘,所述硅片托盘为盘状结构，其中部设有一定数量的开孔，用于连接真空系统，所述桌面位于硅片托盘的一侧，所述悬臂系统设于桌面上，所述流量控制
4、优选地，所述硅片托盘还包括温控系统和真空系统，所述真空系统设于硅片托盘下方，与硅片托盘上的开孔相通，所述温控系统与开孔交错均匀分布于设于硅片托盘上，所述真空系统底部设有电机二，用于控制硅片托盘的旋转动作。
5、优选地，所述悬臂系统还包括：悬臂套筒，电机一和电动伸缩杆，所述悬臂套筒为中空的筒状结构，所述电机一固定连接于桌面上，所述电机一的输出端与电动伸缩杆底部固定连接，所述电动伸缩杆顶部与悬臂套筒的一端固定连接。
6、优选地，所述流量控制系统还包括硅片腐蚀管、气缸一和流量控制器一，所述硅片腐蚀管贯穿悬臂套筒并分别向外延伸一定距离，其一端与悬臂套筒的前端相对固定，便于准确吸放化学试剂，所述气缸一与硅片腐蚀管另一端导通，用于控制化学试剂的吸放，所述流量控制器一与气缸一电性连接，用于控制气缸一的动作进而控制化学试剂的使用剂量。
7、优选地，所述硅片腐蚀管中还设有隔膜，将硅片腐蚀管分为进液管和排液管，所述硅片腐蚀管的前端为圆弧形结构，且硅片腐蚀管后端的进液管和排液管为分叉设置。
8、优选地，所述气缸组包括气缸一和气缸二、所述气缸一设于排液管的后端，并与排液管导通，所述气缸二设于进液管的后端，并与进液管导通。
9、优选地，所述流量控制器包括流量控制器一和流量控制器二，所述流量控制器一与气缸一电性连接，所述流量控制器二与气缸二电性连接，所述流量控制器一和流量控制器二内均设有plc控制系统，用于识别硅片腐蚀管中的液体流量，控制气缸组的动作进而控制化学试剂的使用剂量。
10、本技术的有益效果为：
11、1.使用本技术装定点置清洗硅片方法解决了现有工艺无法在短时间内对硅片薄膜下方电参数测试的情况，并采用对硅片上影响最小的方式，即通过液滴对硅片指定位置腐蚀，达到了所要测试硅片上的电参数的需求。
12、2.与现有技术相比，本技术通过单点腐蚀，减少了整片硅片光刻、腐蚀、去胶等一系列工艺，比正常的做片流程减少流片时间，并在不破坏整片硅片上薄膜的条件下，即可得到所需位置的电参数结果。
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1.一种腐蚀硅片上指定位置的装置，与桌面配合使用，其特征在于：包括：硅片托盘，悬臂系统，流量控制系统和化学试剂供给托盘,所述硅片托盘为盘状结构，其中部设有一定数量的开孔，用于连接真空系统，所述桌面位于硅片托盘的一侧，所述悬臂系统设于桌面上，所述流量控制系统设于悬臂系统后端，用于控制流量，所述化学试剂托盘置于桌面上，与悬臂系统相通，用于供给化学试剂。
2.根据权利要求1所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述硅片托盘还包括温控系统和真空系统，所述真空系统设于硅片托盘下方，与硅片托盘上的开孔相通，所述温控系统与开孔交错均匀分布于设于硅片托盘上，所述真空系统底部设有电机二，用于控制硅片托盘的旋转动作。
3.根据权利要求1所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述悬臂系统还包括：悬臂套筒，电机一和电动伸缩杆，所述悬臂套筒为中空的筒状结构，所述电机一固定连接于桌面上，所述电机一的输出端与电动伸缩杆底部固定连接，所述电动伸缩杆顶部与悬臂套筒的一端固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述流量控制
5.根据权利要求4所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述硅片腐蚀管中还设有隔膜，将硅片腐蚀管分为进液管和排液管，所述硅片腐蚀管的前端为圆弧形结构，且硅片腐蚀管后端的进液管和排液管为分叉设置。
6.根据权利要求4或5所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述气缸组包括气缸一和气缸二、所述气缸一设于排液管的后端，并与排液管导通，所述气缸二设于进液管的后端，并与进液管导通。
7.根据权利要求4或5所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述流量控制器包括流量控制器一和流量控制器二，所述流量控制器一与气缸一电性连接，所述流量控制器二与气缸二电性连接，所述流量控制器一和流量控制器二内均设有PLC控制系统，用于识别硅片腐蚀管中的液体流量，控制气缸组的动作进而控制化学试剂的使用剂量。
...【技术特征摘要】
1.一种腐蚀硅片上指定位置的装置，与桌面配合使用，其特征在于：包括：硅片托盘，悬臂系统，流量控制系统和化学试剂供给托盘,所述硅片托盘为盘状结构，其中部设有一定数量的开孔，用于连接真空系统，所述桌面位于硅片托盘的一侧，所述悬臂系统设于桌面上，所述流量控制系统设于悬臂系统后端，用于控制流量，所述化学试剂托盘置于桌面上，与悬臂系统相通，用于供给化学试剂。
2.根据权利要求1所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述硅片托盘还包括温控系统和真空系统，所述真空系统设于硅片托盘下方，与硅片托盘上的开孔相通，所述温控系统与开孔交错均匀分布于设于硅片托盘上，所述真空系统底部设有电机二，用于控制硅片托盘的旋转动作。
3.根据权利要求1所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述悬臂系统还包括：悬臂套筒，电机一和电动伸缩杆，所述悬臂套筒为中空的筒状结构，所述电机一固定连接于桌面上，所述电机一的输出端与电动伸缩杆底部固定连接，所述电动伸缩杆顶部与悬臂套筒的一端固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种腐蚀硅片上指定位置的装置，其特征在于：所述流量控制系统还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：段旭来，
申请(专利权)人：吉林瑞能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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