一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法技术

本发明专利技术提出了一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法，包括以下步骤：在光交换阵列中选择被测单元和测试单元；输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号；在测试单元上加载反向电压，使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态；调节被测单元上的电压，通过观察测试单元上的电流信号，获得被测单元的状态；使用此方法，完成对整个光交换阵列中开关单元的校准；与目前技术相比，本发明专利技术使用阵列中已有的电光开关单元，通过加载反向电压使其实现光功率探测的功能，并用于前端开关单元的功率监测；不会增加额外的电学或是光学端口，极大降低了大规模硅基电光集成光开关阵列中开关单元校准以及后续电光封装的难度。

【技术实现步骤摘要】
一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法
本专利技术涉及硅基光电子集成
，特别涉及一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法。
技术介绍
随着集成硅基光电子技术的发展，硅基集成光交换器件也向着大规模、多端口数量方向发展，制约其规模的主要因素为没有比较合适的开关单元监测校准技术。对于规模比较大的集成光交换系统来讲，不同位置的开关单元由于晶片材料自身的不均匀性，半导体工艺在晶片上不同位置的误差，造成同一晶片上，同一光交换网络中不同的开关单元的性能并不完全相同，甚至相差很大，需要对制作完成的开关阵列中每个开关单元进行测试和校准。目前的解决方法通常是在开关单元附近或者是特定位置的波导上通过DC耦合器分出小部分光进行检测。在光开关阵列规模较大时，这些附加的光检测端口会带来额外数量巨大的光学端口和电学端口，增加了系统的复杂性和光开关芯片的封装难度，严重制约了大规模集成光交换芯片的研发。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法，以克服现有技术中离子掺杂结构的大规模硅基集成电光交换阵列中开关单元监测和校本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在光交换阵列中选择被测单元和测试单元； 所述被测单元为要测试和校准的开关单元； 所述测试单元为与被测单元通过波导相连的，光路后端的开关单元； S2、在光交换阵列中上输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号； S3、在测试单元上加载反向电压，使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态； S4、调节被测单元上的电压，通过观察测试单元上的电流信号，获得被测单元的状态； S5、以同样的方向依次对每个开关单元重复步骤S1至步骤S4，完成对整个光交换阵列中开关单元的校准。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在光交换阵列中选择被测单元和测试单元；所述被测单元为要测试和校准的开关单元；所述测试单元为与被测单元通过波导相连的，光路后端的开关单元；S2、在光交换阵列中上输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号；S3、在测试单元上加载反向电压，使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态；S4、调节被测单元上的电压，通过观察测试单元上的电流信号，获得被测单元的状态；S5、以同样的方向依次对每个开关单元重复步骤S1至步骤S4，完成对整个光交换阵列中开关单元的校准。


2.如权利要求1所述的一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法，其特征在于：所述步骤S3中加载的反向电压为周期性变化电压信号。


3.如权利要求2所述的一种集成光交换芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐伟杰，储涛，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：浙江;33