图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置制造方法及图纸

一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面；位于半导体衬底上的感光区；读出电路，连接感光区；其中，感光区包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区靠近第一表面设置，第二掺杂区中形成有朝向第一表面延伸的沟槽，沟槽的槽壁上具有半导体层。能够提高成像效果。还提供了图像传感器的制作方法和成像装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置
本申请涉及图像传感器
，尤其涉及一种图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置。
技术介绍
图像传感器广泛用于消费电子、安防监控、工业自动化、人工智能、物联网等领域，用于图像数据信息的采集和整理，为后续处理和应用提供信息源。图像传感器按功能组成可以分为感光电路区和外围读取电路区。其中感光电路区的功能是负责把光信号，通过光电二极管转换成电信号并存储，然后交给后续外围读出电路用于转换成数字图像信号。在实际应用中，环境中光照条件很复杂，有的很暗，有的很亮，即在某些环境下，明暗对比的十分强烈，因此图像传感器为了清晰的呈现图像暗处的细节，需要增加曝光时间，来增加暗处的信号量。但是，由于图像传感器整体的曝光时间是统一的，无法随不同空间区域的亮度改变曝光时间，当曝光时间较长时，图像中较亮的区域会产生过曝，呈现出一片死白，因此图像传感器的动态范围(DynamicRange，DR)显得不足。
技术实现思路
基于此，本申请提供了一种图像传感器及其制作方法、搭载图像传感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；/n位于所述半导体衬底上的感光区，所述感光区在光照下能够产生光生载流子；/n读出电路，所述读出电路连接至所述感光区，用于读出由所述光生载流子产生的电压信号；/n其中，所述感光区包括第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区被设置于靠近所述第一表面，所述第二掺杂区被设置于第一掺杂区远离所述第一表面的一侧；所述第二掺杂区中形成有朝向所述第一表面延伸的沟槽，所述沟槽的槽壁上具有第一导电类型的半导体层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；
位于所述半导体衬底上的感光区，所述感光区在光照下能够产生光生载流子；
读出电路，所述读出电路连接至所述感光区，用于读出由所述光生载流子产生的电压信号；
其中，所述感光区包括第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区被设置于靠近所述第一表面，所述第二掺杂区被设置于第一掺杂区远离所述第一表面的一侧；所述第二掺杂区中形成有朝向所述第一表面延伸的沟槽，所述沟槽的槽壁上具有第一导电类型的半导体层。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的槽壁从所述第二表面朝向所述第一表面延伸，且所述槽壁至少部分延伸到所述第二掺杂区的内部。


3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的槽底位于所述第二掺杂区的内部。


4.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的槽口的宽度大于等于所述沟槽的槽底的宽度。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的宽度的范围为0.1至0.5微米。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的深度为0.5至5微米。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区的第二掺杂区中形成有一道或多道所述沟槽。


8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，多道所述沟槽平行排布或至少两道所述沟槽相交设置。


9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽包括直线形沟槽、螺旋形沟槽、环形沟槽中的至少一种。


10.根据权利要求1-9中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的槽壁上具有第一导电类型的半导体层；其中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。


11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽中填充带负电荷的介质材料，其中，所述介质材料在所述沟槽的槽壁上能够感生出P型的半导体层。


12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述介质材料为对可见光的吸收率小于第一值的介质材料。


13.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽中填充二氧化硅、氧化铝、二氧化铪、氧化钽、氮化硅中的至少一种。


14.根据权利要求1-9中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体层为第一导电类型的掺杂层。


15.根据权利要求1-14中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述读出电路包括：
浮置扩散区，所述浮置扩散区位于所述半导体衬底上靠近所述第一表面的一侧，所述浮置扩散区用于接收所述光生载流子；
传输管，能够受控连通或断开所述感光区和所述浮置扩散区。


16.根据权利要求15所述的图像传感器，其特征在于，所述读出电路还包括：
电压输出电路，连接所述浮置扩散区，用于将所述浮置扩散区的电压信号传输至外围电路。


17.一种成像装置，其特征在于，搭载如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐泽，肖琳，周雪梅，
申请(专利权)人：深圳市大疆创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44