【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背照式传感器及制造传感器的方法相关申请案/专利本申请案主张2018年12月12日申请且以引用的方式并入本文中的标题为“背照式传感器及制造传感器的方法(BACK-ILLUMINATEDSENSORANDAMETHODOFMANUFACTURINGASENSOR)”的第62/778,445号美国临时专利申请案的优先权。本申请案还涉及全部属于彻恩(Chern)等人且全部标题为“具有硼层的背照式传感器(Back-illuminatedsensorwithboronlayer)”的第9,496,425号、第9,818,887号及第10,121,914号美国专利。这些专利及申请案以引用的方式并入本文中。
本申请案涉及适用于感测深UV(DUV)及真空UV(VUV)波长中的辐射的图像传感器及用于制作此类图像传感器的方法。这些传感器适用于光掩模、分划板或晶片检验系统及其它应用。
技术介绍
以下描述及实例不因其包含于此章节中而被认为是现有技术。集成电路产业需要具有越来越高分辨率的检验工具以解析集成电路、光掩模、分划板、太...
【技术保护点】
1.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成第一外延层；/n形成电路元件第一外延层；/n薄化所述衬底以产生经薄化衬底，所述经薄化衬底曝露所述第一外延层的至少一表面部分；/n在所述第一外延层的所述经曝露部分上形成第二外延层；及/n在所述第二外延层上形成纯硼层，/n其中形成所述第二外延层包含通过逐渐增加在所述第二外延层的形成期间使用的p型掺杂剂的浓度而在所述第二外延层中产生p型掺杂剂浓度梯度，使得所述第二外延层的第一层部分具有低于所述第二外延层的随后形成第二层部分的p型掺杂剂浓度，且所述第二外延层的最高p型掺杂剂浓度是邻近于所述纯硼层。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181212 US 62/778,445;20190905 US 16/562,3961.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一外延层；
形成电路元件第一外延层；
薄化所述衬底以产生经薄化衬底，所述经薄化衬底曝露所述第一外延层的至少一表面部分；
在所述第一外延层的所述经曝露部分上形成第二外延层；及
在所述第二外延层上形成纯硼层，
其中形成所述第二外延层包含通过逐渐增加在所述第二外延层的形成期间使用的p型掺杂剂的浓度而在所述第二外延层中产生p型掺杂剂浓度梯度，使得所述第二外延层的第一层部分具有低于所述第二外延层的随后形成第二层部分的p型掺杂剂浓度，且所述第二外延层的最高p型掺杂剂浓度是邻近于所述纯硼层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述p型掺杂剂包括硼。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二外延层包括在低于约350℃的温度下利用含有元素硼的气体。
4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述第二外延层包括使用分子束外延生长来生长所述第二外延层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括在所述纯硼层的表面上沉积抗反射层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括在所述纯硼层的所述表面上沉积金属保护层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括在薄化所述衬底之前将处置晶片在所述电路元件上方附接到所述第一外延层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法进一步包括在薄化所述衬底之前在所述第一外延层及所述处置晶片中的至少一者中形成通孔。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述方法进一步包括在形成所述纯硼层之后曝露所述通孔。
10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二外延层包括在低于约450℃的温度下利用等离子体增强化学气相沉积过程。
11.一种用于感测深紫外线DUV辐射、真空紫外线VUV辐射、极紫外线EUV辐射及带电粒子中的至少一者的图像传感器，所述图像传感器包括：
半导体薄膜，其包括第一外延层且包含形成于所述第一外延层的第一表面上的电路元件及金属互连件；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：勇霍·亚历克斯·庄，振华·霍华德·陈，约翰·费尔登，张璟璟，戴维·L·布朗，西西尔·雅拉曼其里，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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