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本发明揭示一种图像传感器，其利用纯硼层及具有p型掺杂剂浓度梯度的第二外延层以增强感测DUV、VUV或EUV辐射。在第一外延层的上表面上制造感测(电路)元件及相关联金属互连件，接着在所述第一外延层的下表面上形成所述第二外延层，且接着在所述第二...
该专利属于科磊股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科磊股份有限公司授权不得商用。

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