Cr-Si系烧结体制造技术

包含硅化铬(CrSi

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Cr-Si系烧结体
本专利技术涉及一种用于形成薄膜的Cr-Si系烧结体。
技术介绍
近年来，如CrSi2这样的硅化物根据其特性而在半导体或太阳能电池等众多的领域被作为薄膜使用。薄膜的制作在工业上大多采用溅射法。但是，已知含有如CrSi2这样的硅化物的组合物通常强度低，在溅射靶材的加工时及成膜的放电时存在破裂的现象，难以用作溅射靶材。因此，在专利文献1中通过热喷涂法来制作Cr、Si的晶相的溅射靶材。但是，在热喷涂法中，在Cr的分布少的部位，强度不能充分提高，另外，使用硅化物相的粉末并通过热喷涂法制作的溅射靶材不能高强度化。另外，在专利文献2中，通过熔融法制作具有微细的共晶组织的组合物。但是，在熔融法中共晶组织的比例少，在存在大量初生晶的组成中无法实现高强度化。进而，在大型化时，由于冷却速度的不同，结晶组织的控制变得困难，强度的不均变大。进而，在专利文献3、4中，由于硅化物相脆，所以并未提及含有大量硅化物的体系。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-82314号公报专利文献2：日本特表20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Cr-Si系烧结体，其为包含Cr(铬)、硅(Si)的Cr-Si系烧结体，其特征在于，根据X射线衍射确定的结晶结构由硅化铬(CrSi

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181122 JP 2018-218832;20190611 JP 2019-1086611.一种Cr-Si系烧结体，其为包含Cr(铬)、硅(Si)的Cr-Si系烧结体，其特征在于，根据X射线衍射确定的结晶结构由硅化铬(CrSi2)、硅(Si)构成，CrSi2相在块体中存在60wt％以上，烧结体密度为95％以上，CrSi2相的平均粒径为...

【专利技术属性】
技术研发人员：原浩之，仓持豪人，伊藤谦一，
申请(专利权)人：东曹株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP