一种富含Si制造技术

本发明专利技术涉及一种富含Si

【技术实现步骤摘要】
一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法
本专利技术属于超高温陶瓷基复合材料技术，涉及一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法，是一种采用先驱体共混法工艺催化裂解制备Si3N4纳米线陶瓷的方法，是一种制备透波烧蚀一体化陶瓷的方法。
技术介绍
目前关于SiHfBCN陶瓷的制备方法主要分为三种，文献“敖冬飞等。HfB2/SiBCN复相陶瓷抗热震与耐烧蚀性能的研究[D]”采用了机械合金化法制备了SiHfBCN非晶陶瓷。文献“YuanJ,HapisS,BreitzkeH,etal.Single-Source-PrecursorSynthesisofHafnium-ContainingUltrahigh-TemperatureCeramicNanocomposites(UHTC-NCs)[J].InorganicChemistry,2015,45(49):10443-10455”采用了单源前驱体合成法制备了含β-SiC、HfC、HfN和HfB2四种晶相的SiHfBCN陶瓷。专利“冯志海等。一种低氧液态SiHfBCN陶瓷前驱体、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种富含Si

【技术特征摘要】
1.一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法，其特征在于：SiHfBCN陶瓷为晶相与非晶相的混合物，富含铪元素；晶体为Si3N4，非晶相包括但不限于非晶BN、非晶C、非晶HfO2或非晶SiC；陶瓷中的铪原子含量在10-20％；当参与反应的物质聚硼硅氮烷PBSZ与聚铪氧烷PHO为不同体积比例时，镍系催化剂为不同含量时，Si3N4纳米线的含量以及长度不同，具有不同的透波或吸收电磁波的能力。


2.根据权利要求1所述富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷，其特征在于：所述聚硼硅氮烷PBSZ与聚铪氧烷PHO的体积比例为1:0.2-0.5。


3.根据权利要求1所述富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷，其特征在于：所述镍系催化剂的饱和乙醇溶液的体积范围为聚硼硅氮烷的1/50-1/20。


4.根据权利要求1所述富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷，其特征在于：所述Si3N4的直径小于50nm，长度在10μm-200μm之间。


5.根据权利要求1所述富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷，其特征在于：所述Si3N4纳米线的含量为20～10％wt。


6.根据权利要求1或4所述富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷，其特征在于：当晶体Si3N4的含量为20％wt～18％wt时，材料表现为透波材料。


7.根据权利要求1或4所述富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷，其特征在于：当晶体Si3N4的含量为15％wt～10％wt，材料对电磁波具吸收能力。

【专利技术属性】
技术研发人员：范晓孟，张敏，叶昉，薛继梅，范尚武，成来飞，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61