球状镁橄榄石粒子、其制造方法及包含球状镁橄榄石粒子的树脂组合物技术

本发明专利技术的课题是制造低介质损耗角正切和粒子形状为球形的镁橄榄石，提供高频特性提高了的基板。解决手段是具有0.1μm～10μm的平均粒径、和0.0003～0.0025的介质损耗角正切的镁橄榄石粒子。球形度＝(通过激光衍射式粒度分布测定装置测得的平均粒径：μm)/(由使用了氮气吸附法的比表面积换算得到的平均一次粒径：μm)为1.0～3.3。一种镁橄榄石粒子的制造方法，其包含下述工序：(A)工序：将成为镁源的镁化合物与成为硅源的硅化合物以镁与硅的MgO/SiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】球状镁橄榄石粒子、其制造方法及包含球状镁橄榄石粒子的树脂组合物
涉及球状镁橄榄石粒子、其制造方法、包含球状镁橄榄石粒子的树脂组合物。
技术介绍
通过利用微波的通信技术，要求由高频率化引起的大容量、高速数据通信。对于便携电话等，从通信标准4G(3GHz～4GHz)向5G(28GHz)，高频率化发展。此外对于装载了自动驾驶装置的汽车，有搭载作为识别周围障碍物的雷达的频率例如24GHz～76GHz左右的毫米波雷达的汽车，近年来增加。安装了部件后的印刷配线基板(PCB：printedcircuitboard)的配线间的绝缘使用了树脂。为了提高树脂的绝缘性，要求含有与树脂的热膨胀系数一致，而且为高绝缘的物质作为填料。作为其中之一，可举出镁橄榄石。通过高频率化而信号传递速度提高，但传输损耗也增加。电介质损耗与频率(f)、介质损耗角正切(tanδ)、和相对介电常数(εr)成比例地增加。介电常数为表示极化大小的值，相对介电常数表示介质的介电常数与真空中的介电常数的比率，都为表示成为电容器成分的特性大小的值。<br>电介质如果暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镁橄榄石粒子，其具有0.1μm～10μm的平均粒径、和0.0003～0.0025的介质损耗角正切。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181129 JP 2018-2231661.一种镁橄榄石粒子，其具有0.1μm～10μm的平均粒径、和0.0003～0.0025的介质损耗角正切。


2.根据权利要求1所述的镁橄榄石粒子，其按照下述式(3)算出的球形度为1.0～3.3，
球形度＝Ls/Ns式(3)
在式(3)中，Ls表示通过激光衍射式粒度分布测定装置测定的平均粒径，Ns表示通过按照氮气吸附法的测定项的比表面积换算而算出的平均一次粒径，Ls和Ns的单位都为μm。


3.根据权利要求1或2所述的镁橄榄石粒子，关于镁橄榄石粒子，按照下述式(4)算出的水分吸附量为0.15％以下，
水分吸附量(％)＝[(m1-m2)/m2]×100式(4)
在式(4)中，m1表示在温度150℃下干燥了24小时后在温度25℃、湿度50％下放置48小时后的镁橄榄石粒子的质量，m2表示在温度150℃下干燥了24小时后的镁橄榄石粒子的质量，m1和m2的单位都为g。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的镁橄榄石粒子，其MgO/SiO2摩尔比为1.90～2.10。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的镁橄榄石粒子，其粒子的表面被选自下述式(1)和式(2)所示的水解性硅烷中的至少1种水解性硅烷被覆，
R1aSi(R2)4-a式(1)
〔R3dSi(R4)3-d〕2Ye式(2)
在式(1)中，R1为丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、芳基、烷基、环氧丙氧基、或含有包含这些官能团的碳原子数1～10的亚烷基，且R1通过Si-C键与Si原子结合，a表示整数1～3；R2为由选自烷氧基、酰氧基、和卤原子中的原子或基团构成的水解基且至少1个R2的水解基在金属氧化物粒子表面形成M-O-Si键，M表示Si原子或Mg原子；
在式(2)中，R3为烷基并且通过Si-C键与硅原子结合，R4为由选自烷氧基、酰氧基、和卤原子中的原子或基团构成的水解基，且至少1个R4的水解基在金属氧化物粒子表面形成M-O-Si键，M表示Si原子或Mg原子；Y表示亚烷基、亚芳基、NH基、或氧原子，d表示整数0～3，e为整数0或1。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞田将大，山田修平，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP