用季铵基团表面改性的金属氧化物颗粒和其制造方法技术

本发明专利技术的目的是提供表面用季铵基团改性的金属氧化物颗粒以及颗粒的制造方法。本发明专利技术涉及表面用甲硅烷基改性并且聚集比为5.0或更小的(通过动态光散射测量的平均颗粒尺寸/SEM图像中测量的初级颗粒的平均直径)的金属氧化物颗粒，甲硅烷基为选自以下的至少一种基团：通式(1)表示的甲硅烷基：‑Si(X)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用季铵基团表面改性的金属氧化物颗粒和其制造方法专利
本专利技术涉及表面用季铵基团改性的金属氧化物颗粒并且涉及其制造方法。
技术介绍
金属氧化物颗粒用作例如用于半导体基板的化学抛光(CMP)等的磨粒、树脂填料、光学材料用涂料、印刷用调色剂树脂颗粒的外部添加剂和化妆品材料。颗粒的表面改性处理被广泛用于例如改进颗粒的分散稳定性和根据用途赋予颗粒特性的目的。硅烷偶联处理便是这样一种表面改性处理。典型地，在硅烷偶联处理中，使用具有官能团的烷氧基硅烷，诸如Z-Si(OD)3(其中Z表示官能团，D表示烷基)作为硅烷偶联剂。烷氧基硅烷的烷氧基与颗粒表面上的OH基团反应(典型地，脱水缩合反应)以形成Z-Si-O-颗粒，由此颗粒表面得以改性(在这种情况下，引入官能团Z)。表面改性(有时被称为“变性”)赋予颗粒对应于引入的甲硅烷基官能团的特性。例如，已知氨基的引入增加颗粒的表面电势并且增加显示正电势的pH区域(专利文献(PTL)1和PTL2的实例7)。另一方面，在表面改性的过程中，颗粒可以聚集形成聚集比更大的颗粒或形成粗颗粒(例如，PTL2中的实例7)。使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物颗粒，其表面用甲硅烷基改性，并且聚集比(通过动态光散射测量的平均颗粒尺寸/SEM图像中测量的初级颗粒的平均直径)为5.0或更小，所述甲硅烷基是选自以下的至少一种基团：/n通式(1)表示的甲硅烷基：-Si(X)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181204 JP 2018-2271551.一种金属氧化物颗粒，其表面用甲硅烷基改性，并且聚集比(通过动态光散射测量的平均颗粒尺寸/SEM图像中测量的初级颗粒的平均直径)为5.0或更小，所述甲硅烷基是选自以下的至少一种基团：
通式(1)表示的甲硅烷基：-Si(X)n-[L-CR1(OH)-C(R2)2-A]3-n(1)，
其中
X相同或不同，并且各自表示羟基、可水解的取代基、不可水解的取代基、经由-O-与另一甲硅烷基的Si的结合键或经由-O-与颗粒表面上的金属原子的结合键；
n为0、1或2；
L为连接基团；
R1为氢原子或可以含有氨基、羟基或不饱和键的烷基；
R2相同或不同，并且各自表示氢原子或可以含有氨基、羟基或不饱和键的烷基；且
A为季铵基团，和
通式(2)表示的甲硅烷基：



其中
X'相同或不同，并且各自表示羟基、可水解的取代基、不可水解的取代基、经由-O-与另一甲硅烷基的Si的结合键或经由-O-与颗粒表面上的金属原子的结合键；
n'为0、1或2；
L'为连接基团；且
A'为季铵基团。


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【专利技术属性】
技术研发人员：清水智子，
申请(专利权)人：扶桑化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP