【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】负极活性物质及其制备方法
本专利技术涉及一种负极活性物质及其制备方法。
技术介绍
近年来，以移动终端等为代表的小型电子设备得到广泛普及，且强烈要求进一步进行小型化、轻量化及长寿命化。针对这样的市场需求，一种特别小型且轻量、并且可获得高能量密度的二次电池的开发得到推进。该二次电池的应用不仅限于小型电子设备，其在以汽车等为代表的大型电子设备、以房屋等为代表的蓄电系统中的应用也正在研究之中。其中，锂离子二次电池易于进行小型化及高容量化，并且能够获得比铅电池、镍镉电池更高的能量密度，因此备受期待。上述锂离子二次电池具备正极、负极、隔膜及电解液，且负极含有与充放电反应相关的负极活性物质。作为该负极活性物质，碳类活性物质被广泛使用，然而根据最近的市场需求，谋求进一步提升电池容量。为了提升电池容量，正在研究使用硅作为负极活性物质材料。其原因在于，硅的理论容量(4199mAh/g)比石墨的理论容量(372mAh/g)大10倍以上，因此能够期待大幅度提升电池容量。对作为负极活性物质材料的硅材料的开发中，不仅针对硅单质进...
【技术保护点】
1.一种负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，所述负极活性物质的特征在于，/n所述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒，该硅化合物颗粒包含硅化合物，该硅化合物包含氧，/n所述硅化合物颗粒含有Li
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181128 JP 2018-2228801.一种负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，所述负极活性物质的特征在于，
所述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒，该硅化合物颗粒包含硅化合物，该硅化合物包含氧，
所述硅化合物颗粒含有Li2SiO3及Li2Si2O5中的至少一种，
所述硅化合物颗粒在由XANES光谱获得的硅的K边光谱中，具有存在于1847eV附近的源自硅酸锂的峰P，在1851～1852eV附近具有比所述峰P平缓的峰Q。
2.根据权利要求1所述的负极活性物质，其特征在于，所述峰Q为源自SiO2的方石英型结构的峰。
3.根据权利要求1或2所述的负极活性物质，其特征在于，利用拉曼光谱法测定所述负极活性物质时，由拉曼光谱获得的存在于466cm-1附近的非晶硅的最大峰值A与存在于500cm-1附近的晶体硅的最大峰值B的强度比满足下述式1：
1.1A≥B(式1)。
4.根据权利要求3所述的负极活性物质，其特征在于，所述A及所述B满足下述式2：
0.95A≥B(式2)。
5.根据权利要求4所述的负极活性物质，其特征在于，所述A及所述B满足下述式3，且所述负极活性物质中包含的作为单质的硅成分基本上由非晶硅构成，
0.1A≥B(式3)。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的负极活性物质，其特征在于，对所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：广濑贵一，酒井玲子，大泽祐介，高桥广太，松野拓史，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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