光电人工突触的制备方法以及光电人工突触技术

本发明专利技术提供了一种光电人工突触的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；退火后获得人工突触。本发明专利技术人工突触的实现基于铁电极化的多级调控与有机光电半导体的光电响应。利用滴涂法获得高质量面内极化铁电薄膜构建平面多层结构。与依赖导电细丝与离子掺杂的其他忆阻器人工突触相比具有操作电压低、保持特性好、制备工艺简便可控等优势。本发明专利技术可模拟重要的突触功能，对光刺激响应快，能耗低，可用于神经形态计算、图像识别、机器视觉、卷积神经网络等领域。

【技术实现步骤摘要】
光电人工突触的制备方法以及光电人工突触
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种光电人工突触的制备方法以及光电人工突触。
技术介绍
随着电子信息技术的快速发展，人工智能作为二十一世纪三大尖端技术之一，在短短几十年间获得了颠覆性的发展。机器视觉及图像识别作为人工智能的分支之一正在快速发展，在工业、农业、交通等领域都有很大的应用潜力，但存在着信息获取、数据处理和存储分隔导致的传输壁垒。目前数据的处理能力(CPU)以及数据存储器各自都到达了很高的水准，但内在的传输上的延迟逐渐成为了最大的制约，传输功耗占比也越发不可忽视。而打破这一内在缺陷的根本就是消除数据处理与存储之间的界限，理想的方案是让单元同时实现运算与存储功能。2008年惠普实验室的DmitriB.Strukov等人首次研发出基于二氧化钛材料的MIM型忆阻器，掀起了忆阻器研究的热潮。已被报道的光学忆阻人工突触的实现方案有导电细丝、肖特基结、光学栅极等，同时高性能的记忆性铁电材料加入带来了更多的可能性。目前铁电材料已经通过铁电隧穿结、铁电场效应晶体管、相分离共混等技术成功获得了较高性能的人工突本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电人工突触的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一衬底；/n在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；/n在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；/n在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；/n退火后获得人工突触。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电人工突触的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；
在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；
在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；
退火后获得人工突触。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的衬底选自于硅、氧化硅、玻璃、氧化铟锡玻璃、PI、PET、以及PDMS中的一种。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电极为金属电极，制备工艺选自于真空电阻热蒸发沉积、电子束沉积、以及磁控溅射中的任意一种；图形化方法选自于光刻、激光直写、以及电子束曝光中的任意一种。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金属电极的厚度范...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡来归，蔡依辰，詹义强，秦亚杰，
申请(专利权)人：光华临港工程应用技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31