一种记忆装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供的记忆装置及其制造方法中铁电存储器单元，其由铁电电容器和存储器单元晶体管构成，其中，该铁电电容器配置于所述多个位线与所述多个字线及所述极板线的交叉部、一个电极与所述极板线连接，该存储器单元晶体管源极与所述铁电电容器的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述字线连接，负载电容调节单元，其由负载电容和垂直纳米GAA场效应晶体管构成，其中，该负载电容配置于所述多个位线与所述位线控制线的交叉部、一个电极与接地电位连接，该垂直纳米GAA场效应晶体管源极与所述负载电容的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述位线控制线连接，能够减少FeRAM(铁电存储器)单元面积。能够减少FeRAM(铁电存储器)单元面积。能够减少FeRAM(铁电存储器)单元面积。

【技术实现步骤摘要】
一种记忆装置及制造方法


[0001]本专利技术涉及存储装置领域，尤其涉及一种记忆装置及制造方法。

技术介绍

[0002]各种类型的内存设备存在,包括随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),动态随机存取存储器(DRAM),同步动态随机存取存储器(SDRAM),铁电存储器(FeRAM),磁性随机存取存储器(MRAM),电阻RAM(RRAM)、闪存等。存储设备可以是易失的，也可以是非易失的。非易失性存储器，例如闪存，即使在没有外部电源的情况下，也可以将数据存储更长的时间。不稳定的存储设备，例如DRAM，可能会随着时间的推移失去它们的存储状态，除非它们被外部电源定期刷新。例如，二进制存储装置可以包括一个充电或放电的电容器。然而，一个充电的电容器可能随着时间的推移通过泄漏电流放电，导致存储的信息丢失。易失性内存的某些特性可能提供性能优势，如更快的读写速度，而非易失性内存的某些特性，如不定期刷新数据的能力，则可能具有优势。
[0003]铁电存储器(FeRAM)由于具有非挥发性、低功耗、高读写次数、高存取速度、高密度存储、抗辐射、与集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆装置，其特征在于，包括：铁电存储器单元，其由铁电电容器和存储器单元晶体管构成，其中，该铁电电容器配置于所述多个位线与所述多个字线及所述极板线的交叉部、一个电极与所述极板线连接，该存储器单元晶体管源极与所述铁电电容器的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述字线连接；负载电容调节单元，其由负载电容和垂直纳米GAA场效应晶体管构成，其中，该负载电容配置于所述多个位线与所述位线控制线的交叉部、一个电极与接地电位连接，该垂直纳米GAA场效应晶体管源极与所述负载电容的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述位线控制线连接。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述铁电电容器具备多个铁电薄膜。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述铁电薄膜包括HfO2或2D铁电材料。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述铁电电容器还包括：上极板和所述下极板；...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔繁生，周华，
申请(专利权)人：光华临港工程应用技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：